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参数资料
| 型号： | PESD15VS1ULD,315 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 3/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE ESD PROTECTION SOD882 |
| 标准包装： | 10,000 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 15V |
| 电压 - 击穿： | 17.6V |
| 功率（瓦特）： | 150W |
| 电极标记： | 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-882D |
| 供应商设备封装： | SOD882D |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | PESD15VS1ULD315 |
NXP Semiconductors
PESD15VS1ULD
Unidirectional ESD protection diode
5. Limiting values
Table 5. Limiting values
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
P PP
I PP
T j
T amb
T stg
peak pulse power
peak pulse current
junction temperature
ambient temperature
storage temperature
t p = 8/20 μ s
t p = 8/20 μ s
-
-
-
? 55
? 65
150
5
150
+150
+150
W
A
° C
° C
° C
[1]
Non-repetitive current pulse 8/20 μ s exponential decay waveform according to IEC 61000-4-5.
Table 6. ESD maximum ratings
T amb = 25 ° C unless otherwise specified.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
V ESD
electrostatic
IEC 61000-4-2
[1][2]
-
30
kV
discharge voltage
(contact discharge)
MIL-STD-883
-
10
kV
(human body model)
[1]
[2]
Device stressed with ten non-repetitive ESD pulses.
Measured from pin 1 to 2.
Table 7.
Standard
ESD standards compliance
Conditions
IEC 61000-4-2; level 4 (ESD)
MIL-STD-883; class 3 (human body model)
> 15 kV (air); > 8 kV (contact)
> 4 kV
001aaa631
120
I PP
(%)
80
100 % I PP ; 8 μ s
e ? t
001aaa630
I PP
100 %
90 %
5 0 % I PP ; 20 μ s
40
10 %
0
0
10
20
30
t ( μ s)
40
t r = 0.7 ns to 1 ns
30 ns
60 ns
t
Fig 2.
8/20 μ s pulse waveform according to
IEC 61000-4-5
Fig 3.
ESD pulse waveform according to
IEC 61000-4-2
PESD15VS1ULD
Product data sheet
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Rev. 1 — 11 May 2011
? NXP B.V. 2011. All rights reserved.
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