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参数资料
| 型号： | PESD3V3L2BT,215 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 7/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE ESD PROTECTION SOT23 |
| 产品培训模块： | ESD Protection Diodes ESD Standards and Products |
| 标准包装： | 3,000 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 3.3V |
| 电压 - 击穿： | 5.8V |
| 功率（瓦特）： | 350W |
| 电极标记： | 2 通道阵列 - 双向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NXP Semiconductors
PESDxL2BT series
Low capacitance double bidirectional ESD protection diodes in SOT23
10 4
P PP
(W)
10 3
006aaa531
1.2
P PP
P PP(25 ° C)
0.8
001aaa193
(1)
(2)
10 2
0.4
10
1
10
10 2
10 3
t p ( μ s)
10 4
0
0
50
100
150
T j ( ° C)
200
T amb = 25 ° C
(1) PESD3V3L2BT and PESD5V0L2BT
(2) PESD12VL2BT, PESD15VL2BT, PESD24VL2BT
Fig 3.
Peak pulse power as a function of exponential
pulse duration t p ; typical values
Fig 4.
Relative variation of peak pulse power as a
function of junction temperature; typical
values
110
C d
(pF)
100
90
(1)
006aaa067
20
C d
(pF)
16
12
006aaa068
(1)
80
70
8
(2)
(3)
60
50
(2)
4
0
0
1
2
3
4
5
0
5
10
15
20
25
T amb = 25 ° C; f = 1 MHz
(1) PESD3V3L2BT
(2) PESD5V0L2BT
V R (V)
T amb = 25 ° C; f = 1 MHz
(1) PESD12VL2BT
(2) PESD15VL2BT
(3) PESD24VL2BT
V R (V)
Fig 5.
Diode capacitance as a function of reverse
Fig 6.
Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values
PESDXL2BT_SER_2
voltage; typical values
? NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 25 August 2009
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 37303-B122-0PE MB | CONN SKT 2MM IDC 3POS 24-26AWG |
| 37303-B163-0PE MB | CONN SKT 2MM IDC 3POS 24-26AWG |
| FI-S5P-HFE | CONN RCPT 1.25MM 5POS SMD R/A |
| 71600-640LF | CONN SOCKET IDC 40POS DL 30GOLD |
| 4-1571552-5 | CONN SOCKET 18POS DIP GOLD T/H |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PESD3V3L2UM | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Low capacitance double ESD protection diode |
| PESD3V3L2UM T/R | 功能描述:TVS二极管阵列 DIODE ARRAY ESD TAPE-7 RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C |
| PESD3V3L2UM,315 | 功能描述:TVS二极管阵列 DIODE ARRAY ESD RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C |
| PESD3V3L2UM315 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| PESD3V3L4UF | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Low capacitance unidirectional quadruple ESD protection diode arrays |
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