参数资料
| 型号： | PESD3V3S1UL,315 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 3/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE ESD PROTECTION SOD882 |
| 标准包装： | 10,000 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 3.3V |
| 电压 - 击穿： | 5.2V |
| 功率（瓦特）： | 150W |
| 电极标记： | 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-882 |
| 供应商设备封装： | SOD-882 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NXP Semiconductors
PESDxS1UL series
Unidirectional ESD protection diodes
5. Limiting values
Table 5. Limiting values
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
P PP
peak pulse power
t p = 8/20 ? s
-
150
W
I PP
peak pulse current
t p = 8/20 ? s
PESD3V3S1UL
PESD5V0S1UL
PESD12VS1UL
PESD15VS1UL
PESD24VS1UL
-
-
-
-
-
15
15
5
5
3
A
A
A
A
A
T j
T amb
T stg
junction temperature
ambient temperature
storage temperature
-
? 65
? 65
150
+150
+150
? C
? C
? C
[1]
Non-repetitive current pulse 8/20 ? s exponential decay waveform according to IEC 61000-4-5.
Table 6.
ESD maximum ratings
Symbol
V ESD
Parameter
electrostatic discharge voltage
Conditions
IEC 61000-4-2
Min
Max
Unit
(contact discharge)
PESD3V3S1UL
PESD5V0S1UL
PESD12VS1UL
PESD15VS1UL
PESD24VS1UL
-
-
-
-
-
30
30
30
30
23
kV
kV
kV
kV
kV
PESDxS1UL series
MIL-STD-883
-
10
kV
(human body model)
[1]
Device stressed with ten non-repetitive ESD pulses.
Table 7.
Standard
ESD standards compliance
Conditions
IEC 61000-4-2; level 4 (ESD)
MIL-STD-883; class 3B (human body model)
> 15 kV (air); > 8 kV (contact)
> 8 kV
PESDXS1UL_SER
Product data sheet
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Rev. 3 — 25 October 2011
? NXP B.V. 2011. All rights reserved.
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PS9303L-E3-AX | PHOTOCOUPLER HS OUT 6DIP GULL |
| 102617-6 | CONN HEADER R/A .100 16POS 15AU |
| 1-5102153-3 | CONN HEADER 44POS VERT .100 GOLD |
| EJ12146 | BOX STEEL 12X14X6" GREY |
| PJU12106CCTF | BOX FIBER 12.5X10.7X7.01" GR/CL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PESD3V3S2UAT | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE TVS DUAL SOT-23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, TVS, DUAL, SOT-23 |
| PESD3V3S2UAT,215 | 功能描述:TVS二极管阵列 3.3V DUAL ESD PROTCT RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C |
| PESD3V3S2UAT215 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:ESD DIODE 20V Dual Common Cathode SOT |
| PESD3V3S2UQ | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE TVS DUAL SOT-663 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, TVS, DUAL, SOT-663 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, TVS, DUAL, SOT-663; TVS Polarity:Unidirectional; Reverse Stand-Off Voltage Vrwm:3.3V; Breakdown Voltage Min:5.2V; Breakdown Voltage Max:6V; Clamping Voltage Vc Max:5.6V; Peak Pulse Current Ippm:15A; Diode Case Style:SOT-663; ;RoHS Compliant: Yes |
| PESD3V3S2UQ,115 | 功能描述:TVS二极管阵列 DIODE ARRAY ESD TAPE-7 RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C |
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