参数资料
| 型号： | PESD3V3S4UD,115 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 4/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE ARRAY ESD 3.3V 6-TSOP |
| 产品培训模块： | ESD Standards and Products |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 3.3V |
| 电压 - 击穿： | 5.3V |
| 功率（瓦特）： | 200W |
| 电极标记： | 4 通道阵列 - 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-74，SOT-457 |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1511 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 568-4266-6 |
NXP Semiconductors
PESDxS4UD series
Quadruple ESD protection diode arrays in a SOT457 package
001aaa631
120
I PP
(%)
80
100 % I PP ; 8 μ s
e ? t
001aaa630
I PP
100 %
90 %
5 0 % I PP ; 20 μ s
40
10 %
0
0
10
20
30
t ( μ s)
40
t r = 0.7 ns to 1 ns
30 ns
60 ns
t
Fig 1.
8/20 μ s pulse waveform according to
IEC 61000-4-5
Fig 2.
ESD pulse waveform according to
IEC 61000-4-2
6. Characteristics
Table 8. Characteristics
T amb = 25 ° C unless otherwise speci?ed
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Per diode
V RWM
reverse standoff voltage
PESD3V3S4UD
PESD5V0S4UD
PESD12VS4UD
PESD15VS4UD
PESD24VS4UD
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3.3
5
12
15
24
V
V
V
V
V
I RM
reverse leakage current
PESD3V3S4UD
PESD5V0S4UD
PESD12VS4UD
PESD15VS4UD
PESD24VS4UD
V RWM = 3.3 V
V RWM = 5 V
V RWM = 12 V
V RWM = 15 V
V RWM = 24 V
-
-
-
-
-
300
80
0.05
0.05
0.05
800
200
15
15
15
nA
nA
nA
nA
nA
V BR
breakdown voltage
I R = 1 mA
PESD3V3S4UD
PESD5V0S4UD
PESD12VS4UD
PESD15VS4UD
PESD24VS4UD
5.3
6.4
12.5
15.5
25.5
5.6
6.8
14.5
18
27
5.9
7.2
16
20.5
29
V
V
V
V
V
PESDXS4UD_SER_2
? NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 21 August 2009
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参数描述 |
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| PESD3V3S4UF,115 | 功能描述:TVS二极管阵列 DIODE ARRAY ESD RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C |
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