- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录6160 > PESD3V3U1UT,215 (NXP Semiconductors)DIODE ULOW ESD PROTECTION SOT23 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | PESD3V3U1UT,215 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 4/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE ULOW ESD PROTECTION SOT23 |
| 产品培训模块： | ESD Protection Diodes ESD Standards and Products |
| 标准包装： | 3,000 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 3.3V |
| 电压 - 击穿： | 5.8V |
| 功率（瓦特）： | 80W |
| 电极标记： | 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NXP Semiconductors
Table 6.
PESDxU1UT series
Ultra low capacitance ESD protection diode in SOT23 package
ESD maximum ratings
Symbol
V ESD
Parameter
electrostatic discharge voltage
Conditions
IEC 61000-4-2
[1][2]
Min
Max
Unit
(contact discharge)
PESD3V3U1UT
PESD5V0U1UT
PESD12VU1UT
PESD15VU1UT
PESD24VU1UT
-
-
-
-
-
30
30
30
30
23
kV
kV
kV
kV
kV
PESDxU1UT
HBM MIL-STD-883
-
10
kV
[1]
[2]
Device stressed with ten non-repetitive ESD pulses.
Measured from pin 1 to 2
Table 7.
Standard
ESD standards compliance
Conditions
IEC 61000-4-2; level 4 (ESD)
HBM MIL-STD-883; class 3
> 15 kV (air); > 8 kV (contact)
> 4 kV
001aaa631
120
I PP
(%)
80
100 % I PP ; 8 μ s
e ? t
001aaa630
I PP
100 %
90 %
5 0 % I PP ; 20 μ s
40
10 %
0
0
10
20
30
t ( μ s)
40
t r = 0.7 ns to 1 ns
30 ns
60 ns
t
Fig 1.
8/20 μ s pulse waveform according to
Fig 2.
ESD pulse waveform according to
IEC 61000-4-5
PESDXU1UT_SER_2
IEC 61000-4-2
? NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 20 August 2009
4 of 13
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CN1812K11G | VARISTOR 11VRMS 1812 SMD |
| 953224-2000-AR-PT | CONN SOCKET 24POS 2MM VERT SMD |
| 953118-2000-AR-PT | CONN SOCKET 18POS 2MM VERT SMD |
| 6-1775444-5 | CONN HEADER 1.5MM 15POS R/A SMD |
| 929842-01-11-RB | CONN RCPT 22POS DL STR .1" GO |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PESD3V3V1BCSFYL | 功能描述:TVS DIODE 3.3VWM 12VC DSN0603-2 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 类型:齐纳 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:3.3V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:4.5V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:11V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:7.1A（8/20μs） 功率 - 峰值脉冲:- 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:8.5pF @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0201（0603 公制） 供应商器件封装:DSN0603-2 标准包装:1 |
| PESD3V3V4UF | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Very low capacitance unidirectional quadruple ESD protection diode arrays |
| PESD3V3V4UF T/R | 功能描述:TVS二极管阵列 DIODE ARRAY ESD TAPE-7 RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C |
| PESD3V3V4UF,115 | 功能描述:TVS二极管阵列 DIODE ARRAY ESD RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C |
| PESD3V3V4UG | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE TVS 0.3UA 3.3V SOT-353 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:UniDirect ESD protect diode,PESD3V3V4UG |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。