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参数资料
| 型号： | PESD3V3X1BL,315 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 1/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE ESD PROT ULOW BIDIR SOD882 |
| 产品培训模块： | ESD Standards and Products |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 3.3V |
| 电压 - 击穿： | 5V |
| 电极标记： | 双向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-882 |
| 供应商设备封装： | SOD-882 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1511 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 568-4805-6 |
PESD3V3X1BL
Ultra low capacitance bidirectional ESD protection diode
Rev. 01 — 6 January 2009
Product data sheet
1. Product pro?le
1.1 General description
Ultra low capacitance bidirectional ElectroStatic Discharge (ESD) protection diode in a
leadless ultra small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package designed to protect
one signal line from the damage caused by ESD and other transients.
1.2 Features
I Bidirectional ESD protection of one line I ESD protection up to 9 kV
I Ultra low diode capacitance: C d = 1.3 pF I IEC 61000-4-2; level 4 (ESD)
I Very low leakage current: I RM = 1 nA
1.3 Applications
I AEC-Q101 quali?ed
I
I
I
I
I
I
USB interfaces
Antenna protection
10/100/1000 Mbit/s Ethernet
FireWire
High-speed data lines
Subscriber Identity Module (SIM) card
I
I
I
I
I
Cellular handsets and accessories
Portable electronics
Communication systems
Computers and peripherals
Audio and video equipment
protection
1.4 Quick reference data
Table 1. Quick reference data
T amb = 25 ° C unless otherwise speci?ed.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Per diode
V RWM
reverse standoff voltage
-
-
3.3
V
C d
diode capacitance
f = 1 MHz; V R = 0 V
-
1.3
1.6
pF
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PESD5V0F1BL,315 | DIODE FEMTOFARAD BI ESD SOD882 |
| PESD5V0L1BSF,315 | DIODE BIDIR ESD PROT SOD962 |
| PESD5V0L1UB,115 | DIODE ESD PROT LOW UNIDIR SOD523 |
| PESD5V0L1ULD,315 | DIODE ESD PROT LOW UNIDIR SOD882 |
| PESD5V0L2UM,315 | DIODE ESD PROTECT LOW SOT-883 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PESD5V0C1BSFYL | 功能描述:TVS DIODE 5VWM 6.5VC DSN0603-2 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrEOS 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 类型:齐纳 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:6.5V（标准） 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:9A（8/20μs） 功率 - 峰值脉冲:- 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:0.2pF @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0201（0603 公制） 供应商器件封装:DSN0603-2 标准包装:1 |
| PESD5V0C1USF | 功能描述:TVS DIODE 5VWM 3VC DSN0603-2 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrEOS 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:5.5V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:3V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:9A（8/20μs） 功率 - 峰值脉冲:- 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:0.45pF @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0201（0603 公制） 供应商器件封装:DSN0603-2 标准包装:1 |
| PESD5V0C1USFYL | 功能描述:TVS DIODE 5VWM 3VC DSN0603-2 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrEOS 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:5.5V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:3V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:9A（8/20μs） 功率 - 峰值脉冲:- 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:0.45pF @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0201（0603 公制） 供应商器件封装:DSN0603-2 标准包装:9,000 |
| PESD5V0F1BL | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE ESD 5.5V BIDIR SOD882 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, ESD, 5.5V, BIDIR, SOD882 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, ESD, 5.5V, BIDIR, SOD882; TVS Polarity:Bidirectional; Reverse Stand-Off Voltage Vrwm:5.5V; Clamping Voltage Vc Max:15V; Peak Pulse Current Ippm:2.5A; Diode Case Style:SOD-882D; No. of Pins:2 ;RoHS Compliant: Yes |
| PESD5V0F1BL,315 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 DIODE FEMTOFARAD BI ESD RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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