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参数资料
| 型号： | PESD5V0U1BLD,315 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 8/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE ESD PROECT ULOW SOD-882 |
| 标准包装： | 10,000 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 5V |
| 电压 - 击穿： | 5.5V |
| 电极标记： | 双向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-882D |
| 供应商设备封装： | SOD882D |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | PESD5V0U1BLD315 |
NXP Semiconductors
PESD5V0U1BLD
Ultra low capacitance bidirectional ESD protection diode
12. Revision history
Table 10.
Revision history
Document ID
PESD5V0U1BLD v.2
Release date
20110727
Data sheet status
Product data sheet
Change notice
-
Supersedes
PESD5V0U1BLD v.1
Modifications:
?
PESD5V0U1BLD v.1
20110504
Product data sheet
-
-
PESD5V0U1BLD
Product data sheet
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Rev. 2 — 27 July 2011
? NXP B.V. 2011. All rights reserved.
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| PESD5V0U1UA,115 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 DIODE ARRAY ESD 1L ULTRA LO CD RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| PESD5V0U1UA115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:ESD PROTECTION DIODE SOD-323- |
| PESD5V0U1UB | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Ultra low capacitance unidirectional ESD protection diodes |
| PESD5V0U1UB,115 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 DIODE ARRAY ESD 1L ULTRA LO CD RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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