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参数资料
| 型号： | PESD5V0U5BF,115 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 1/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE ARRAY ESD BI-DIR SOT886 |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 5V |
| 电压 - 击穿： | 5.5V |
| 电极标记： | 5 通道阵列 - 双向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-XFDFN |
| 供应商设备封装： | 6-XSON，SOT886（1.45x1） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 568-7355-6 |
PESD5V0U5BF; PESD5V0U5BV
Ultra low capacitance bidirectional ?vefold ESD
protection arrays
Rev. 01 — 15 August 2008
Product data sheet
1. Product pro?le
1.1 General description
Ultra low capacitance bidirectional ?vefold ElectroStatic Discharge (ESD) protection
arrays in ultra small Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages designed to protect
up to ?ve signal lines from the damage caused by ESD and other transients.
Table 1.
Product overview
Type number
Package
NXP
JEDEC
Package con?guration
PESD5V0U5BF
PESD5V0U5BV
SOT886
SOT666
MO-252
-
leadless ultra small
ultra small and ?at lead
1.2 Features
I Bidirectional ESD protection of up to
I ESD protection up to 10 kV
?ve lines
I Ultra low diode capacitance: C d = 2.9 pF I IEC 61000-4-2; level 4 (ESD)
I Ultra low leakage current: I RM = 5 nA
1.3 Applications
I Computers and peripherals
I Audio and video equipment
I Cellular handsets and accessories
I 10/100/1000 Mbit/s Ethernet
I Communication systems
I AEC-Q101 quali?ed
I Portable electronics
I Subscriber Identity Module (SIM) card
protection
I FireWire
I High-speed data lines
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RNCF1206DTE182K | RES 182K OHM 1/8W 0.5% 1206 |
| TSW-109-06-T-S | CONN HEADER 9POS .100" SNGL TIN |
| TSW-109-05-T-S | CONN HEADER 9POS .100" SNGL TIN |
| PESD12VS1UJ,115 | DIODE ESD UNI-DIR 12V SOD-323F |
| PEC12SAAN | CONN HEADER .100 SINGL STR 12POS |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PESD5V0U5BV | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Ultra low capacitance bidirectional fivefold ESD protection arrays |
| PESD5V0U5BV,115 | 功能描述:TVS二极管阵列 Diode TVS Quint Bi-Dir 5V 6-Pin RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C |
| PESD5V0V1BA | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE ESD LOW CAPACITANCE SOD323 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, ESD, LOW CAPACITANCE, SOD323 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, ESD, LOW CAPACITANCE, SOD323, Diode Type:ESD Protection, Clamping Voltage |
| PESD5V0V1BA,115 | 功能描述:ESD 抑制器 DIODE BI ESD PROTECT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道:8 Channels 击穿电压:8 V 电容:45 pF 端接类型:SMD/SMT 封装 / 箱体:uQFN-16 功率耗散 Pd: 工作温度范围:- 40 C to + 85 C |
| PESD5V0V1BB | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE ESD LOW CAPACITANCE SOD523 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, ESD, LOW CAPACITANCE, SOD523 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, ESD, LOW CAPACITANCE, SOD523, Diode Type:ESD Protection, Clamping Voltage |
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