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参数资料
| 型号： | PESD6V0L2UU,115 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 3/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE ESD UNI-DIR 6.0V SOT323 |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 6V |
| 电压 - 击穿： | 6.4V |
| 功率（瓦特）： | 60W |
| 电极标记： | 2 通道阵列 - 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-70，SOT-323 |
| 供应商设备封装： | SOT-323 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 568-6841-6 |
NXP Semiconductors
PESD5V0L2UU; PESD6V0L2UU
Low capacitance unidirectional ESD protection diodes
5. Limiting values
Table 6. Limiting values
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
Per diode
P PP
peak pulse power
t p = 8/20 μ s
[1][2]
PESD5V0L2UU
PESD6V0L2UU
-
-
70
60
W
W
I PP
peak pulse current
t p = 8/20 μ s
[1][2]
PESD5V0L2UU
PESD6V0L2UU
-
-
6.5
5.5
A
A
T j
T amb
T stg
junction temperature
ambient temperature
storage temperature
-
? 55
? 65
150
+150
+150
° C
° C
° C
[1]
[2]
Non-repetitive current pulse 8/20 μ s exponential decay waveform according to IEC 61000-4-5.
Measured from pin 1 or 2 to pin 3.
Table 7. ESD maximum ratings
T amb = 25 ° C unless otherwise speci?ed.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
V ESD
electrostatic discharge voltage
IEC 61000-4-2
-
30
kV
(contact discharge)
MIL-STD-883 (human
-
16
kV
body model)
[1]
[2]
Device stressed with ten non-repetitive ESD pulses.
Measured from pin 1 or 2 to pin 3.
Table 8.
Standard
ESD standards compliance
Conditions
PESD5V0L2UU_PESD6V0L2UU_1
IEC 61000-4-2; level 4 (ESD)
MIL-STD-883; class 3 (human body model)
> 15 kV (air); > 8 kV (contact)
> 4 kV
? NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 11 March 2009
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PESD9V0V4UK,132 | DIODE QUAD ESD PROTECT SOT891 |
| PESD9X7.0L,315 | DIODE ESD PROTECTION SOD882 |
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| PFE1100-12-054NA | FRONT END AC/DC 1100W W/ PFC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| PESD9X5.0L,315 | 功能描述:ESD 抑制器 6.2 V 100 pF RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道:8 Channels 击穿电压:8 V 电容:45 pF 端接类型:SMD/SMT 封装 / 箱体:uQFN-16 功率耗散 Pd: 工作温度范围:- 40 C to + 85 C |
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