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参数资料
| 型号： | PF01410A |
| 厂商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | MOS FET Power Amplifier Module for GSM Handy Phone |
| 中文描述： | 场效应晶体管功率放大器模块的GSM手持电话 |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 25K |
| 代理商： | PF01410A |
PF01410A
MOS FET Power Amplifier Module
for GSM Handy Phone
ADE-208-424B (Z)
Product Preview
3rd. Edition
November 1997
Application
For GSM class4 890 to 915 MHz
Features
4.8 V operation 2 stage amplifier
Small package
High efficiency : 45% Typ
High speed switching : 1
μ
sec
Pin Arrangement
G
4
G
3
1
G
G2
1: Pin
2: Vapc
3: Vdd
4: Pout
G: GND
Absolute Maximum Ratings
(Tc = 25
°
C)
Item
Symbol
Rating
Unit
Supply voltage
V
DD
I
DD
V
APC
Pin
10
V
Supply current
3
A
V
APC
voltage
Input power
4
V
50
mW
Operating case temperature
Tc (op)
–30 to +100
°
C
°
C
Storage temperature
Tstg
–30 to +100
Output power
Pout
4
W
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| PF01411B | 制造商:HITACHI 制造商全称:Hitachi Semiconductor 功能描述:MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM Handy Phone |
| PF01412 | 制造商:HITACHI 制造商全称:Hitachi Semiconductor 功能描述:MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM Handy Phone |
| PF01412A | 制造商:HITACHI 制造商全称:Hitachi Semiconductor 功能描述:MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM Handy Phone |
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