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参数资料
| 型号： | PF08109B-TB |
| 元件分类： | 基准电压源/电流源 |
| 英文描述： | RADIATION HARDENED HIGH EFFICIENCY, 5 AMP SWITCHING REGULATORS |
| 中文描述： | 抗辐射高效，5安培开关稳压器 |
| 文件页数： | 1/44页 |
| 文件大小： | 217K |
| 代理商： | PF08109B-TB |
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PF08107B
MOS FET Power Amplifier Module
for E-GSM and DCS1800 Dual Band Handy Phone
ADE-208-787G (Z)
Rev.7
Dec. 2001
Application
Dual band amplifier for E-GSM (880 MHz to 915 MHz) and DCS1800 (1710 MHz to 1785 MHz).
For 3.5 V nominal operation
Features
2 in / 2 out dual band amplifier
Simple external circuit including output matching circuit
Simple power control
High gain 3stage amplifier : 0 dBm input Typ
Lead less thin & Small package : 8
×
13.75
×
1.6 mm Typ
High efficiency :
50 % Typ at 35.0 dBm for E-GSM
43 % Typ at 32.0 dBm for DCS1800
Pin Arrangement
1:
2:
3:
4:
5:
6:
7:
8:
G:
Pin
GSM
Vapc
Vdd1
Pout
GSM
Pout
DCS
Vdd2
Vctl
Pin
DCS
GND
RF-K-8
12
34
G
87
5
6
G
G
G
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| PF08134B | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FET Power Amplifier Module for GSM850 and DCS1800/1900 Triple Band Handy Phone |
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