型号: | PF48F2P0ZBQ0 |
厂商: | Intel Corp. |
英文描述: | Intel StrataFlash Embedded Memory |
中文描述: | 英特尔StrataFlash嵌入式存储器 |
文件页数: | 1/102页 |
文件大小: | 1609K |
代理商: | PF48F2P0ZBQ0 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
PF48F3P0ZBQ0 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
PF48F4P0ZBQ0 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
PF48F4P0VB00 | Photoelectric Sensor; Sensor Input Type:Optical; Sensing Range Max:43mm; Sensor Output Type:Relay; Leaded Process Compatible:No; Output Type:Relay; Peak Reflow Compatible (260 C):No; Contact Current Max:3A; Contact Rating:3A |
PF48F0P0VT00 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
PF48F2P0VT00 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
PF48F2P0ZT00 | 制造商:INTEL 制造商全称:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Embedded Memory |
PF48F2P0ZTQ0 | 制造商:INTEL 制造商全称:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Embedded Memory |
PF48F3000P0ZBQ0 | 制造商:NUMONYX 制造商全称:Numonyx B.V 功能描述:Numonyx StrataFlash Embedded Memory |
PF48F3000P0ZBQ0A | 功能描述:IC FLASH 128MBIT 85NS 88TPBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:StrataFlash™ 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步,DDR II 存储容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA(13x15) 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ |
PF48F3000P0ZBQEA | 功能描述:IC FLASH 128MBIT 65NM SCSP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:Axcell™ 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:4G(256M x 16) 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商设备封装:48-TSOP I 包装:Digi-Reel® 其它名称:557-1461-6 |