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参数资料
| 型号： | PH2729-11OM |
| 英文描述： | Radar Pulsed Power Transistor, IlOW, loops Pulse, 10% Duty 2.7 - 2.9 GHz |
| 中文描述： | 雷达脉冲功率晶体管，IlOW，循环脉冲，10％的税2月7日至2月9号吉赫 |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 156K |
| 代理商： | PH2729-11OM |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PH2729430M | Radar Pulsed Power Transistor, 13OW, IOOps Pulse, 10% Duty 2.7 - 2.9 GHz |
| PH2731-20M | Radar Pulsed Power Transistor, 2OW, loops Pulse, 10% Duty 2.7 - 3.1 GHz |
| PH2731-5M | Radar Pulsed Power Transistor, 5W, IOOps Pulse, 10% Duty |
| PH2731-75L | TRANSISTOR | BJT | NPN | 65V V(BR)CEO | 7A I(C) | FO-91VAR |
| PH2731-80M | DC Accurate, Clock-Tunable Linear Phase 5th Order Bessel Lowpass Filter; Package: PDIP; No of Pins: 8; Temperature Range: 0°C to +70°C |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PH2729-120M | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 65V V(BR)CEO | 15A I(C) | FO-91VAR |
| PH2729-130M | 功能描述:射频双极电源晶体管 RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集电极/Base Gain hfe Min:40 最大工作频率:30 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V 发射极 - 基极电压 VEBO:4 V 集电极连续电流:20 A 最大直流电集电极电流: 功率耗散:250 W 封装 / 箱体:Case 211-11 封装:Tray |
| PH2729-150M | 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:RF POWER TRANSISTOR BIPOLAR/HBT |
| PH2729-150M_07 | 制造商:MA-COM 制造商全称:M/A-COM Technology Solutions, Inc. 功能描述:Radar Pulsed Power Transistor 150W, 2.7-2.9 GHz, 100μs Pulse, 10% Duty |
| PH2729-180M | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 63V V(BR)CEO | 18A I(C) | FO-91VAR |
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