参数资料
型号: PH2729-8.5M
英文描述: TRANSISTOR | BJT | NPN | 65V V(BR)CEO | 1.8A I(C) | FO-91VAR
中文描述: 晶体管|晶体管|叩| 65V的五(巴西)总裁| 1.8AI(丙)|佛91VAR
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代理商: PH2729-8.5M
相关PDF资料
PDF描述
PH2729-11OM Radar Pulsed Power Transistor, IlOW, loops Pulse, 10% Duty 2.7 - 2.9 GHz
PH2729430M Radar Pulsed Power Transistor, 13OW, IOOps Pulse, 10% Duty 2.7 - 2.9 GHz
PH2731-20M Radar Pulsed Power Transistor, 2OW, loops Pulse, 10% Duty 2.7 - 3.1 GHz
PH2731-5M Radar Pulsed Power Transistor, 5W, IOOps Pulse, 10% Duty
PH2731-75L TRANSISTOR | BJT | NPN | 65V V(BR)CEO | 7A I(C) | FO-91VAR
相关代理商/技术参数
参数描述
PH2729-8SM 制造商:MA-COM 制造商全称:M/A-COM Technology Solutions, Inc. 功能描述:Radar Pulsed Power Transistor, 8.5W, loops Pulse, 10% Duty 2.7 - 2.9 GHz
PH2731-20M 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:TRANS GP BJT NPN 65V 2PIN HERMETIC METAL - Bulk 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:RF POWER TRANSISTOR BIPOLAR/HBT
PH2731-5M 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:TRANS GP BJT NPN 65V 2PIN HERMETIC METAL - Bulk 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:RF POWER TRANSISTOR BIPOLAR/HBT
PH2731-75L 功能描述:射频双极电源晶体管 RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集电极/Base Gain hfe Min:40 最大工作频率:30 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V 发射极 - 基极电压 VEBO:4 V 集电极连续电流:20 A 最大直流电集电极电流: 功率耗散:250 W 封装 / 箱体:Case 211-11 封装:Tray
PH2731-80M 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | RFMOD