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参数资料
| 型号： | PH3134-9L |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 1.1A I(C) |
| 中文描述： | 晶体管|晶体管|叩| 60V的五（巴西）总裁| 1.1AI（丙） |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 124K |
| 代理商： | PH3134-9L |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PH3135-65M | Clock-Tunable, Quad Second Order, Filter Building Blocks; Package: SSOP; No of Pins: 28; Temperature Range: 0°C to +70°C |
| PH3135-80M | Clock-Tunable, Quad Second Order, Filter Building Blocks; Package: PDIP; No of Pins: 24; Temperature Range: -40°C to +85°C |
| PH313 | SILICON EPITAXIAL PLANAR PIN PHOTO DIODE DETECTOR |
| PH3135-20M | Radar Pulsed Power Transistor, 20W,100ms Pulse,10% Duty 3.1-3.5 GHz |
| PH3135-25S | Radar Pulsed Power Transistor,25W,2ms Pulse,10% Duty 3.1-3.5GHz |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PH3135-20M | 功能描述:射频双极电源晶体管 RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集电极/Base Gain hfe Min:40 最大工作频率:30 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V 发射极 - 基极电压 VEBO:4 V 集电极连续电流:20 A 最大直流电集电极电流: 功率耗散:250 W 封装 / 箱体:Case 211-11 封装:Tray |
| PH3135-25S | 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:RF POWER TRANSISTOR BIPOLAR/HBT |
| PH3135-30M | 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:TRANS GP BJT NPN 65V 2PIN HERMETIC METAL - Bulk |
| PH3135-5M | 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:TRANS GP BJT NPN 60V 2PIN HERMETIC METAL - Bulk 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:RF POWER TRANSISTOR BIPOLAR/HBT |
| PH3135-5S | 功能描述:射频双极电源晶体管 RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集电极/Base Gain hfe Min:40 最大工作频率:30 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V 发射极 - 基极电压 VEBO:4 V 集电极连续电流:20 A 最大直流电集电极电流: 功率耗散:250 W 封装 / 箱体:Case 211-11 封装:Tray |
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