型号: | PH3135-30M |
英文描述: | Radar Pulsed Power Transistor, 3OW, IOOms Pulse, 10% Duty 3.1 - 3.5 GHz |
中文描述: | 雷达脉冲功率晶体管,3OW,IOOms脉冲,10%的税3月1日至3月五日吉赫 |
文件页数: | 2/2页 |
文件大小: | 152K |
代理商: | PH3135-30M |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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PH3135-5M | Radar Pulsed Power Transistor, 5W, looms Pulse, 10% Duty 3.1 - 3.5 GHz |
PH3135-5S | Radar Pulsed Power Transistor,5W,2ms Pulse, 10% Duty 3.1-3.5 GHz |
PH406466 | QUAD 10/100Base Supporting AutoMdix funtion Transformer SMT type |
PH502HC | SCHMITT-TRIGGER OUTPUT PHOTO IC |
PH502HR | Low Power, 8th Order Progressive Elliptic, Lowpass Filter; Package: PDIP; No of Pins: 8; Temperature Range: -40°C to +85°C |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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PH3135-5M | 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:TRANS GP BJT NPN 60V 2PIN HERMETIC METAL - Bulk 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:RF POWER TRANSISTOR BIPOLAR/HBT |
PH3135-5S | 功能描述:射频双极电源晶体管 RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集电极/Base Gain hfe Min:40 最大工作频率:30 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V 发射极 - 基极电压 VEBO:4 V 集电极连续电流:20 A 最大直流电集电极电流: 功率耗散:250 W 封装 / 箱体:Case 211-11 封装:Tray |
PH3135-65M | 功能描述:射频双极电源晶体管 RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集电极/Base Gain hfe Min:40 最大工作频率:30 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V 发射极 - 基极电压 VEBO:4 V 集电极连续电流:20 A 最大直流电集电极电流: 功率耗散:250 W 封装 / 箱体:Case 211-11 封装:Tray |
PH3135-80M | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 63V V(BR)CEO | 8.5A I(C) | FO-91VAR |
PH3135-90S | 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:TRANS GP BJT NPN 65V 2PIN HERMETIC METAL - Bulk 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:RF POWER TRANSISTOR BIPOLAR/HBT |