型号: | PHB13N40E |
厂商: | NXP SEMICONDUCTORS |
元件分类: | JFETs |
英文描述: | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
中文描述: | 13.7 A, 400 V, 0.35 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
封装: | SOT-404, 3 PIN |
文件页数: | 1/10页 |
文件大小: | 104K |
代理商: | PHB13N40E |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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PHW13N40E | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
PHP176NQ04T | N-channel TrenchMOS-TM standard level FET |
PHP1N60E | PowerMOS transistor |
PHP206 | Dual P-channel enhancement mode MOS transistor |
PHP33N10 | PowerMOS transistor(功率MOS晶体管) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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PHB143NQ04T /T3 | 功能描述:MOSFET TRENCHMOS (TM)FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
PHB143NQ04T,118 | 功能描述:MOSFET TRENCHMOS (TM)FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
PHB145NQ06T,118 | 功能描述:MOSFET TRENCHMOS (TM) FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
PHB146NQ06LT | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS logic level FET |
PHB146NQ06LT,118 | 功能描述:MOSFET TRENCHMOS (TM) FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |