- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录367941 > PHB37N06LT (NXP SEMICONDUCTORS) TrenchMOS transistor Logic level FET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | PHB37N06LT |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| 中文描述： | 37 A, 55 V, 0.035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | PLASTIC, SOT-404, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 79K |
| 代理商： | PHB37N06LT |
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Logic level FET
PHP37N06LT, PHB37N06LT, PHD37N06LT
Fig.3. Safe operating area. T
= 25 C
I
D
& I
DM
= f(V
DS
); I
DM
single pulse; parameter t
p
Fig.4. Transient thermal impedance.
Z
th j-mb
= f(t); parameter D = t
p
/T
Fig.5. Typical output characteristics, T
j
= 25 C
I
D
= f(V
DS
); parameter V
GS
Fig.6. Typical on-state resistance, T
j
= 25 C
R
DS(ON)
= f(I
D
); parameter V
GS
Fig.7. Typical transfer characteristics.
I
D
= f(V
GS
); conditions: V
DS
= 25 V; parameter T
j
Fig.8. Typical transconductance, T
= 25 C
g
fs
= f(I
D
); conditions: V
DS
= 25 V
1
10
100
1
10
100
1000
tp =
1 us
10us
100 us
1 ms
10ms
100ms
ID/A
VDS/V
RDS(ON) = VDS/ID
DC
0
10
20
30
40
50
60
25
30
35
40
45RDS(ON)/mOhm
VGS/V =
ID/A
4
4.2
4.4
4.6
4.8
5
1.0E-06
0.0001
0.01
t/s
1
100
0.01
0.1
1
10ZTH/ (K/W)
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0
D =
t
p
t
p
T
T
P
D
t
0
1
2
3
4
5
6
7
0
10
20
30
40
50
60
70
ID/A
VGS/V
Tj/C =
175
25
0
2
6
8
10
0
20
40
60
80
100
10
7
VGS = 6.0 V
5.6
5.0
4.6
4.0
3.6
3.0
Drain current, ID (A)
Drain4
0
10
20
40
50
60
70
5
10
15
20
25
30Transconductance, gfs (S)
Dr30
September 1998
4
Rev 1.400
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHD37N06LT | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHP37N06T | TrenchMOS transistor Standard Level FET(TrenchMOS 晶体管标准电平场效应管) |
| PHP3N40E | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
| PHB3N40E | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
| PHD3N40E | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PHB37N06LTT/R | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 37A I(D) | SOT-404 |
| PHB37N06T | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Standard level FET |
| PHB37N06TT/R | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 37A I(D) | SOT-404 |
| PHB38N02LT | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS logic level FET |
| PHB38N02LT,118 | 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。