型号: | PHD38N02LT |
元件分类: | 开关 |
英文描述: | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
文件页数: | 2/7页 |
文件大小: | 525K |
代理商: | PHD38N02LT |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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PHD38N02LT /T3 | 功能描述:两极晶体管 - BJT TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
PHD38N02LT,118 | 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
PHD3N20E | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor |
PHD3N20L | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor Logic level FET |
PHD3N40E | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistors Avalanche energy rated |