型号: | PHD3N40E |
厂商: | NXP SEMICONDUCTORS |
元件分类: | JFETs |
英文描述: | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
中文描述: | 2.5 A, 400 V, 3.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
封装: | SOT-428, 3 PIN |
文件页数: | 5/10页 |
文件大小: | 94K |
代理商: | PHD3N40E |
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PDF描述 |
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参数描述 |
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PHD45NQ15T,118 | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRENCH-150 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
PHD48N22-7A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Fuse-Programmable PLD |