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参数资料
| 型号： | PHM18NQ15T |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | TrenchMOS standard level FET |
| 中文描述： | 19 A, 150 V, 0.075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | 6 X 5 MM, 0.85 MM HEIGHT, PLASTIC, QLPAK, HVSON-8 |
| 文件页数： | 10/12页 |
| 文件大小： | 91K |
| 代理商： | PHM18NQ15T |
Philips Semiconductors
PHM18NQ15T
TrenchMOS standard level FET
Product data
Rev. 02 — 20 August 2004
10 of 12
9397 750 13865
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004. All rights reserved.
8.
Revision history
Table 6:
Rev Date
02
Revision history
CPCN
20040820
Description
Product data (9397 750 13865)
Modifications:
Section 1.4 “Quick reference data”
I
D
data revised.
Section 3 “Ordering information”
added to data sheet.
Table 3 “Limiting values”
Avalanche ruggedness data added. I
D
and I
DM
data revised.
Figure 3 “Safe operating area; continuous and peak drain currents as a function of
drain-source voltage.”
revised.
Table 5 “Characteristics”
Q
r
data added, Q
g(tot)
, Q
gs
and Q
gd
data corrected.
Figure 7 “Drain-source on-state resistance as a function of drain current; typical values.”
revised.
Preliminary data (9397 750 10877)
-
01
20030130
-
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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