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参数资料
| 型号： | PHP101NQ03LT |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | TrenchMOS logic level FET |
| 中文描述： | 75 A, 30 V, 0.0075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封装： | PLASTIC, SC-46, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/13页 |
| 文件大小： | 279K |
| 代理商： | PHP101NQ03LT |
Philips Semiconductors
PHP/PHU101NQ03LT
TrenchMOS logic level FET
Product data
Rev. 02 — 25 February 2003
3 of 13
9397 750 10927
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved.
Fig 1.
Normalized total power dissipation as a
function of mounting base temperature.
Fig 2.
Normalized continuous drain current as a
function of mounting base temperature.
T
mb
= 25
°
C; I
DM
is single pulse; V
GS
= 10V.
Fig 3.
Safe operating area; continuous and peak drain currents as a function of drain-source voltage.
03aa16
0
40
80
120
0
50
100
150
200
Tmb (
°
C)
Pder
(%)
03ai19
0
40
80
120
0
50
100
150
200
Tmb (
°
C)
Ider
(%)
P
der
P
tot 25 C
°
)
----------------------
100
%
×
=
I
der
I
D 25 C
°
)
------------------
100
%
×
=
03ai21
1
10
102
103
1
10
102
VDS (V)
ID
(A)
DC
100
μ
s
10 ms
Limit RDSon = VDS
/ ID
1 ms
tp = 10
μ
s
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHU101NQ03LT | TrenchMOS logic level FET |
| PHP109 | P-channel enhancement mode MOS transistor(P沟道增强型MOS晶体管) |
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| PHD11N06LT | N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET(N沟道TrenchMOS 晶体管逻辑电平场效应管) |
| PHP125N06L | TrenchMOS transistor Logic level FET(TrenchMOS 晶体管标准电平场效应管) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PHP101NQ03LT,127 | 功能描述:MOSFET RAIL MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| PHP101NQ03LT | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N 30V TO-220 |
| PHP101NQ04T | 功能描述:MOSFET TRENCHMOS (TM)FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| PHP101NQ04T,127 | 功能描述:MOSFET TRENCHMOS (TM)FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| PHP1025 | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:P-channel enhancement mode MOS transistor |
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