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参数资料
| 型号： | PHW13N40E |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
| 中文描述： | 13.7 A, 400 V, 0.35 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| 封装： | TO-247, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 104K |
| 代理商： | PHW13N40E |
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistors
Avalanche energy rated
PHP13N40E, PHB13N40E, PHW13N40E
SOURCE-DRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS
T
j
= 25 C unless otherwise specified
SYMBOL PARAMETER
I
S
Continuous source current
(body diode)
I
SM
Pulsed source current (body
diode)
V
SD
Diode forward voltage
t
rr
Reverse recovery time
Q
rr
Reverse recovery charge
CONDITIONS
T
mb
= 25C
MIN.
-
TYP. MAX. UNIT
-
13.7
A
T
mb
= 25C
-
-
55
A
I
S
= 13 A; V
GS
= 0 V
I
S
= 13 A; V
GS
= 0 V; dI/dt = 100 A/
μ
s
-
-
-
-
1.2
-
-
V
ns
μ
C
420
5.4
December 1998
3
Rev 1.000
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PDF描述 |
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