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参数资料
| 型号： | PIC12C508A-04I/SM |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 76/113页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MCU OTP 512X12 8-SOIJ |
| 产品培训模块： | Asynchronous Stimulus 8-bit PIC® Microcontroller Portfolio |
| 标准包装： | 90 |
| 系列： | PIC® 12C |
| 核心处理器： | PIC |
| 芯体尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 4MHz |
| 外围设备： | POR，WDT |
| 输入/输出数： | 5 |
| 程序存储器容量： | 768B（512 x 12） |
| 程序存储器类型： | OTP |
| RAM 容量： | 25 x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 3 V ~ 5.5 V |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽） |
| 包装： | 管件 |
| 配用： | XLT08SO-1-ND - SOCKET TRANSITION 8SOIC 150/208 AC164312-ND - MODULE SKT FOR PM3 16SOIC ISPICR1-ND - ADAPTER IN-CIRCUIT PROGRAMMING 309-1048-ND - ADAPTER 8-SOIC TO 8-DIP 309-1047-ND - ADAPTER 8-SOIC TO 8-DIP AC124001-ND - MODULE SKT PROMATEII 8DIP/SOIC |
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1999 Microchip Technology Inc.
DS40139E-page 65
PIC12C5XX
11.0
ELECTRICAL CHARACTERISTICS - PIC12C508/PIC12C509
Absolute Maximum Ratings
Ambient Temperature under bias ........................................................................................................... –40°C to +125°C
Storage Temperature ............................................................................................................................. –65°C to +150°C
Voltage on VDD with respect to VSS .................................................................................................................0 to +7.5 V
Voltage on MCLR with respect to VSS...............................................................................................................0 to +14 V
Voltage on all other pins with respect to VSS ............................................................................... –0.6 V to (VDD + 0.6 V)
Total Power Dissipation(1) .................................................................................................................................... 700 mW
Max. Current out of VSS pin .................................................................................................................................. 200 mA
Max. Current into VDD pin ..................................................................................................................................... 150 mA
Input Clamp Current, IIK (VI < 0 or VI > VDD)
.................................................................................................................... ±20 mA
Output Clamp Current, IOK (VO < 0 or VO > VDD)
............................................................................................................. ±20 mA
Max. Output Current sunk by any I/O pin ................................................................................................................ 25 mA
Max. Output Current sourced by any I/O pin........................................................................................................... 25 mA
Max. Output Current sourced by I/O port (GPIO) ................................................................................................. 100 mA
Max. Output Current sunk by I/O port (GPIO )...................................................................................................... 100 mA
Note 1: Power Dissipation is calculated as follows: PDIS = VDD x {IDD -
∑ IOH} + ∑ {(VDD-VOH) x IOH} + ∑(VOL x IOL)
NOTICE: Stresses above those listed under "Maximum Ratings" may cause permanent damage to the device.
This is a stress rating only and functional operation of the device at those or any other conditions above those
indicated in the operation listings of this specification is not implied. Exposure to maximum rating conditions for
extended periods may affect device reliability.
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PDF描述 |
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参数描述 |
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