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参数资料
| 型号： | PIC12C671-10I/SM |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 88/129页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MCU OTP 1KX14 A/D 8-SOIJ |
| 产品培训模块： | Asynchronous Stimulus |
| 标准包装： | 90 |
| 系列： | PIC® 12C |
| 核心处理器： | PIC |
| 芯体尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 10MHz |
| 外围设备： | POR，WDT |
| 输入/输出数： | 5 |
| 程序存储器容量： | 1.75KB（1K x 14） |
| 程序存储器类型： | OTP |
| RAM 容量： | 128 x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 3 V ~ 5.5 V |
| 数据转换器： | A/D 4x8b |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽） |
| 包装： | 管件 |
| 配用： | AC164312-ND - MODULE SKT FOR PM3 16SOIC 309-1048-ND - ADAPTER 8-SOIC TO 8-DIP 309-1047-ND - ADAPTER 8-SOIC TO 8-DIP |
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1999 Microchip Technology Inc.
DS30561B-page 61
PIC12C67X
FIGURE 9-10: EXTERNAL POWER-ON
RESET CIRCUIT (FOR SLOW
VDD POWER-UP)
Note 1: External Power-on Reset circuit is required only
if VDD power-up slope is too slow. The diode D
helps discharge the capacitor quickly when VDD
powers down.
2: R < 40 k
is recommended to make sure that
voltage drop across R does not violate the
device’s electrical specification.
3: R1 = 100
to 1 k will limit any current flowing
into MCLR from external capacitor C, in the
event of MCLR/VPP pin breakdown due to
Electrostatic Discharge (ESD) or Electrical
Overstress (EOS).
C
R1
R
D
VDD
MCLR
PIC12C67X
FIGURE 9-11: EXTERNAL BROWN-OUT
PROTECTION CIRCUIT 1
FIGURE 9-12: EXTERNAL BROWN-OUT
PROTECTION CIRCUIT 2
Note 1:
This circuit will activate reset when VDD goes
below (Vz + 0.7V), where Vz = Zener voltage.
2: Resistors should be adjusted for the character-
istics of the transistor.
VDD
33k
10k
4.3k
VDD
MCLR
PIC12C67X
Note 1:
This brown-out circuit is less expensive,
albeit less accurate. Transistor Q1 turns off
when VDD is below a certain level such that:
2: Resistors should be adjusted for the charac-
teristics of the transistor.
VDD
R1
R1 + R2
= 0.7V
VDD
R2
4.3k
PIC12C67X
R1
Q1
VDD
MCLR
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PDF描述 |
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参数描述 |
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