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参数资料
| 型号： | PIC12F519-E/MS |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 17/96页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC PIC MCU FLASH 1KX12 8MSOP |
| 产品培训模块： | Asynchronous Stimulus 8-bit PIC® Microcontroller Portfolio |
| 标准包装： | 100 |
| 系列： | PIC® 12F |
| 核心处理器： | PIC |
| 芯体尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 8MHz |
| 外围设备： | POR，WDT |
| 输入/输出数： | 5 |
| 程序存储器容量： | 1.5KB（1K x 12） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| RAM 容量： | 41 x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 2 V ~ 5.5 V |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 637 (CN2011-ZH PDF) |
| 配用： | AC162096-ND - HEADER MPLAB ICD2 PIC16F526 8/14 AC164325-ND - MODULE SKT FOR 8MSOP |
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PIC12F519
DS41319B-page 22
2008 Microchip Technology Inc.
5.2.2
WRITING TO FLASH DATA
MEMORY
Once a cell is erased, new data can be written. Pro-
gram execution is suspended during the write cycle.
The following sequence must be performed for a single
byte write.
1.
Load EEADR with the address.
2.
Load EEDATA with the data to write.
3.
Set the WREN bit to enable write access to the
array.
4.
Set the WR bit to initiate the erase cycle.
If the WR bit is not set in the instruction cycle after the
WREN bit is set, the WREN bit will be cleared in
hardware.
Sample code that follows this procedure is included in
EXAMPLE 3:
WRITING A FLASH DATA
MEMORY ROW
5.3
Write Verify
Depending on the application, good programming
practice may dictate that data written to the Flash data
memory be verified. Example 4 is an example of a write
verify.
EXAMPLE 4:
WRITE VERIFY OF DATA
EEPROM
5.4
Code Protection
Code protection does not prevent the CPU from per-
forming read or write operations on the Flash data
memory. Refer to the code protection chapter for more
information.
Note 1:
Only a series of BSF commands will work
to enable the memory write sequence
documented in Example 2. No other
sequence of commands will work, no
exceptions.
2:
For reads, erases and writes to the Flash
data memory, there is no need to insert a
NOP
into the user code as is done on
mid-range devices. The instruction imme-
diately
following
the
“BSF
EECON,WR/RD” will be fetched and
executed properly.
BANKSEL
EEADR
MOVLW
EE_ADR_WRITE
; LOAD ADDRESS
MOVWF
EEADR
;
MOVLW
EE_DATA_TO_WRITE ; LOAD DATA
MOVWF
EEDATA
; INTO EEDATA REGISTER
BSF
EECON,WREN
; ENABLE WRITES
BSF
EECON,WR
; INITITATE ERASE
MOVF
EEDATA, W
;EEDATA has not changed
;from previous write
BSF
EECON, RD
;Read the value written
XORWF
EEDATA, W
;
BTFSS
STATUS, Z
;Is data the same
GOTO
WRITE_ERR
;No, handle error
;Yes, continue
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VE-B4L-IW-F1 | CONVERTER MOD DC/DC 28V 100W |
| 556135-2 | CONN CONTACT 14-18AWG TIN |
| VE-B4K-IX-F4 | CONVERTER MOD DC/DC 40V 75W |
| 556880-2 | CONN TERM RECEPT 10-12 AWG TIN |
| VE-B4K-IX-F3 | CONVERTER MOD DC/DC 40V 75W |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PIC12F519-I/MC | 功能描述:8位微控制器 -MCU 15KB Flash Prgrm 64B 8MHz Intrnl Oscilatr RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| PIC12F519-I/MS | 功能描述:8位微控制器 -MCU 15KB Flash Prgrm 64B 8MHz Intrnl Oscilatr RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| PIC12F519-I/P | 功能描述:8位微控制器 -MCU 8MHz Intrnl Oscilatr 1.5KB 64B Flash Data RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| PIC12F519-I/SN | 功能描述:8位微控制器 -MCU 1.5KB Flash Program 64B FData 8MHz Osc RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| PIC12F519T-E/MC | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:8-Pin, 8-Bit Flash Microcontroller |
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