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参数资料
| 型号： | PIC12F629T-I/MD |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 27/35页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC PIC MCU FLASH 1KX14 8DFN |
| 产品培训模块： | Asynchronous Stimulus |
| 标准包装： | 3,300 |
| 系列： | PIC® 12F |
| 核心处理器： | PIC |
| 芯体尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 20MHz |
| 外围设备： | POR，WDT |
| 输入/输出数： | 5 |
| 程序存储器容量： | 1.75KB（1K x 14） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| EEPROM 大小： | 128 x 8 |
| RAM 容量： | 64 x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 2 V ~ 5.5 V |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 配用： | AC164326-ND - MODULA SKT PM3 20QFN |
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33
0787E–MICRO–3/06
AT89S53
44J – PLCC
Notes:
1. This package conforms to JEDEC reference MS-018, Variation AC.
2. Dimensions D1 and E1 do not include mold protrusion.
Allowable protrusion is .010"(0.254 mm) per side. Dimension D1
and E1 include mold mismatch and are measured at the extreme
material condition at the upper or lower parting line.
3. Lead coplanarity is 0.004" (0.102 mm) maximum.
A
4.191
–
4.572
A1
2.286
–
3.048
A2
0.508
–
D
17.399
–
17.653
D1
16.510
–
16.662
Note 2
E
17.399
–
17.653
E1
16.510
–
16.662
Note 2
D2/E2
14.986
–
16.002
B
0.660
–
0.813
B1
0.330
–
0.533
e
1.270 TYP
COMMON DIMENSIONS
(Unit of Measure = mm)
SYMBOL
MIN
NOM
MAX
NOTE
1.14(0.045) X 45
PIN NO. 1
IDENTIFIER
1.14(0.045) X 45
0.51(0.020)MAX
0.318(0.0125)
0.191(0.0075)
A2
45 MAX (3X)
A
A1
B1
D2/E2
B
e
E1
E
D1
D
44J, 44-lead, Plastic J-leaded Chip Carrier (PLCC)
B
44J
10/04/01
2325 Orchard Parkway
San Jose, CA 95131
TITLE
DRAWING NO.
R
REV.
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| PIC12F635_07 | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:8/14-Pin, Flash-Based 8-Bit CMOS Microcontrollers with nanoWatt Technology |
| PIC12F635-E/MD | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:8/14-Pin, Flash-Based 8-Bit CMOS Microcontrollers with nanoWatt Technology |
| PIC12F635-E/MDQTP | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:8/14-Pin, Flash-Based 8-Bit CMOS Microcontrollers with nanoWatt Technology |
| PIC12F635E/MF | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:8/14-PIN FLASH-BASED, 8-BIT CMOS MICROCONTROLLERS WITH NANOWATT TECHNOLOGY |
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