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参数资料
| 型号： | PIC12F683T-I/SN |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 21/176页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC PIC MCU FLASH 2KX14 8-SOIC |
| 产品培训模块： | Asynchronous Stimulus 8-bit PIC® Microcontroller Portfolio |
| Digi-Key 应用说明： | AN0005 PWM Example with Microchip's CCP Module AN0005 Example Code |
| 标准包装： | 3,300 |
| 系列： | PIC® 12F |
| 核心处理器： | PIC |
| 芯体尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 20MHz |
| 外围设备： | 欠压检测/复位，POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 5 |
| 程序存储器容量： | 3.5KB（2K x 14） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| EEPROM 大小： | 256 x 8 |
| RAM 容量： | 128 x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 2 V ~ 5.5 V |
| 数据转换器： | A/D 4x10b |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 产品目录页面： | 645 (CN2011-ZH PDF) |
| 配用： | AC162058-ND - HEADER MPLAB ICD2 FOR PIC12F683 I3-DB12F683-ND - BOARD DAUGHTER ICEPIC3 |
| 其它名称： | PIC12F683T-I/SN-ND PIC12F683T-I/SNTR |
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2007 Microchip Technology Inc.
DS41211D-page 115
PIC12F683
15.0
ELECTRICAL SPECIFICATIONS
Absolute Maximum Ratings()
Ambient temperature under bias..........................................................................................................-40° to +125°C
Storage temperature ........................................................................................................................ -65°C to +150°C
Voltage on VDD with respect to VSS ................................................................................................... -0.3V to +6.5V
Voltage on MCLR with respect to Vss ............................................................................................... -0.3V to +13.5V
Voltage on all other pins with respect to VSS ........................................................................... -0.3V to (VDD + 0.3V)
Total power dissipation(1) ............................................................................................................................... 800 mW
Maximum current out of VSS pin ...................................................................................................................... 95 mA
Maximum current into VDD pin ......................................................................................................................... 95 mA
Input clamp current, IIK (VI < 0 or VI > VDD)
...............................................................................................................± 20 mA
Output clamp current, IOK (Vo < 0 or Vo >VDD)
.........................................................................................................± 20 mA
Maximum output current sunk by any I/O pin.................................................................................................... 25 mA
Maximum output current sourced by any I/O pin .............................................................................................. 25 mA
Maximum current sunk by GPIO ...................................................................................................................... 90 mA
Maximum current sourced GPIO...................................................................................................................... 90 mA
Note 1:
Power dissipation is calculated as follows: PDIS = VDD x {IDD –
∑ IOH} + ∑ {(VDD – VOH) x IOH} + ∑(VOl x IOL).
NOTICE: Stresses above those listed under “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the
device. This is a stress rating only and functional operation of the device at those or any other conditions above those
indicated in the operation listings of this specification is not implied. Exposure above maximum rating conditions for
extended periods may affect device reliability.
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| PIC12F752-E/P | 功能描述:8位微控制器 -MCU 1.75KB 64BRAM 6 I/O 8MHz Int Osc 5MIPS RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
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