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参数资料
| 型号： | PIC12LCE519T-04/SN |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 88/113页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MCU OTP 1KX12 LV W/EE 8SOIC |
| 产品培训模块： | Asynchronous Stimulus |
| 标准包装： | 3,300 |
| 系列： | PIC® 12C |
| 核心处理器： | PIC |
| 芯体尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 4MHz |
| 外围设备： | POR，WDT |
| 输入/输出数： | 5 |
| 程序存储器容量： | 1.5KB（1K x 12） |
| 程序存储器类型： | OTP |
| EEPROM 大小： | 16 x 8 |
| RAM 容量： | 41 x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 2.5 V ~ 5.5 V |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | PIC12LCE519T-04SN |
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PIC12C5XX
DS40139E-page 76
1999 Microchip Technology Inc.
TABLE 12-1:
DYNAMIC IDD (TYPICAL) - WDT ENABLED, 25°C
Oscillator
Frequency
VDD = 2.5V
VDD = 5.5V
External RC
4 MHz
250 A*
780 A*
Internal RC
4 MHz
420 A
1.1 mA
XT
4 MHz
251 A
780 A
LP
32 KHz
15 A
37 A
*Does not include current through external R&C.
FIGURE 12-3: WDT TIMER TIME-OUT
PERIOD VS. VDD
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
23456
7
VDD (Volts)
W
D
T
per
iod
(
m
S)
Max +125
°C
Max +85
°C
Typ +25
°C
MIn –40
°C
FIGURE 12-4: SHORT DRT PERIOD VS. VDD
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
23456
7
VDD (Volts)
W
D
T
per
iod
(s
)
Max +125
°C
Max +85
°C
Typ +25
°C
MIn –40
°C
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| PIC12LCE673-04I/P | 功能描述:8位微控制器 -MCU 1.75KB 128 RAM 6 I/O RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| PIC12LCE674-04/P | 功能描述:8位微控制器 -MCU 3.5KB 128 RAM 6 I/O RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| PIC12LCE674-04I/P | 功能描述:8位微控制器 -MCU 3.5KB 128 RAM 6 I/O RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
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