参数资料
型号: PIC16C54C-20I/P
厂商: Microchip Technology
文件页数: 175/194页
文件大小: 0K
描述: IC MCU OTP 512X12 18DIP
产品培训模块: Asynchronous Stimulus
8-bit PIC® Microcontroller Portfolio
标准包装: 25
系列: PIC® 16C
核心处理器: PIC
芯体尺寸: 8-位
速度: 20MHz
外围设备: POR,WDT
输入/输出数: 12
程序存储器容量: 768B(512 x 12)
程序存储器类型: OTP
RAM 容量: 25 x 8
电压 - 电源 (Vcc/Vdd): 3 V ~ 5.5 V
振荡器型: 外部
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 18-DIP(0.300",7.62mm)
包装: 管件
配用: 309-1059-ND - ADAPTER 18 ZIF BD W/18SO PLUGS
DVA16XP180-ND - ADAPTER DEVICE FOR MPLAB-ICE
AC164001-ND - MODULE SKT PROMATEII 18/28DIP
其它名称: PIC16C54C-20I/PR
PIC16C54C-20I/PR-ND
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页第141页第142页第143页第144页第145页第146页第147页第148页第149页第150页第151页第152页第153页第154页第155页第156页第157页第158页第159页第160页第161页第162页第163页第164页第165页第166页第167页第168页第169页第170页第171页第172页第173页第174页当前第175页第176页第177页第178页第179页第180页第181页第182页第183页第184页第185页第186页第187页第188页第189页第190页第191页第192页第193页第194页
PIC18F2450/4450
2006 Microchip Technology Inc.
Advance Information
DS39760A-page 79
6.5
Writing to Flash Program Memory
The minimum programming block is 8 words or
16 bytes. Word or byte programming is not supported.
Table writes are used internally to load the holding
registers needed to program the Flash memory. There
are 16 holding registers used by the table writes for
programming.
Since the Table Latch (TABLAT) is only a single byte, the
TBLWT
instruction may need to be executed 16 times for
each programming operation. All of the table write oper-
ations will essentially be short writes because only the
holding registers are written. At the end of updating the
16 holding registers, the EECON1 register must be
written to in order to start the programming operation
with a long write.
The long write is necessary for programming the
internal Flash. Instruction execution is halted while in a
long write cycle. The long write will be terminated by
the internal programming timer.
The write/erase voltages are generated by an on-chip
charge pump, rated to operate over the voltage range
of the device.
FIGURE 6-5:
TABLE WRITES TO FLASH PROGRAM MEMORY
6.5.1
FLASH PROGRAM MEMORY WRITE
SEQUENCE
The sequence of events for programming an internal
program memory location should be:
1.
Read 64 bytes into RAM.
2.
Update data values in RAM as necessary.
3.
Load Table Pointer register with address being
erased.
4.
Execute the Row Erase procedure.
5.
Load Table Pointer register with address of first
byte being written.
6.
Write 16 bytes into the holding registers with
auto-increment.
7.
Set the EECON1 register for the write operation:
clear the CFGS bit to access program memory;
set WREN to enable byte writes.
8.
Disable interrupts.
9.
Write 55h to EECON2.
10. Write 0AAh to EECON2.
11. Set the WR bit. This will begin the write cycle.
12. The CPU will stall for duration of the write (about
2 ms using internal timer).
13. Re-enable interrupts.
14. Repeat steps 6 through 14 once more to write
64 bytes.
15. Verify the memory (table read).
This procedure will require about 8 ms to update one
row of 64 bytes of memory. An example of the required
code is given in Example 6-3.
Note:
The default value of the holding registers on
device Resets and after write operations is
FFh. A write of FFh to a holding register
does not modify that byte. This means that
individual bytes of program memory may be
modified, provided that the change does not
attempt to change any bit from a ‘0’ to a ‘1’.
When modifying individual bytes, it is not
necessary to load all 16 holding registers
before executing a write operation.
TBLPTR = xxxxxF
TBLPTR = xxxxx1
TBLPTR = xxxxx0
TBLPTR = xxxxx2
Program Memory
Holding Register
8
TABLAT
Write Register
Note:
Before setting the WR bit, the Table
Pointer address needs to be within the
intended address range of the 16 bytes in
the holding register.
相关PDF资料
PDF描述
PIC16F627T-04E/SO IC MCU FLASH 1KX14 18-SOIC
PIC18LF448-I/L IC PIC MCU FLASH 8KX16 44PLCC
PIC18F448-E/P IC MCU FLASH 8KX16 W/CAN 40-DIP
PIC18F448-E/L IC MCU FLASH 8KX16 W/CAN 44-PLCC
PIC16LF874AT-I/L IC MCU CMOS 4K FLASH LP 44-PLCC
相关代理商/技术参数
参数描述
PIC16C54C-40/P 功能描述:8位微控制器 -MCU .75KB 25 RAM 12 I/O 40MHz PDIP18 RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT
PIC16C54C-40/SO 功能描述:8位微控制器 -MCU .75KB 25 RAM 12 I/O 40MHz SOIC18 RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT
PIC16C54C-40/SS 功能描述:8位微控制器 -MCU .75KB 25 RAM 12 I/O RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT
PIC16C54CT-04/SO 功能描述:8位微控制器 -MCU .75KB 25 RAM 12 I/O 4MHz SOIC18 RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT
PIC16C54CT-04/SO092 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述: