参数资料
型号: PIC16C622A-04/SO
厂商: Microchip Technology
文件页数: 42/89页
文件大小: 0K
描述: IC MCU OTP 2KX14 COMP 18SOIC
产品培训模块: Asynchronous Stimulus
8-bit PIC® Microcontroller Portfolio
标准包装: 42
系列: PIC® 16C
核心处理器: PIC
芯体尺寸: 8-位
速度: 4MHz
外围设备: 欠压检测/复位,POR,WDT
输入/输出数: 13
程序存储器容量: 3.5KB(2K x 14)
程序存储器类型: OTP
RAM 容量: 128 x 8
电压 - 电源 (Vcc/Vdd): 2.5 V ~ 5.5 V
振荡器型: 外部
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 18-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
包装: 管件
产品目录页面: 636 (CN2011-ZH PDF)
配用: XLT18SO-1-ND - SOCKET TRANSITION 18SOIC 300MIL
ISPICR1-ND - ADAPTER IN-CIRCUIT PROGRAMMING
309-1011-ND - ADAPTER 18-SOIC TO 18-DIP
309-1010-ND - ADAPTER 18-SOIC TO 18-DIP
AC164010-ND - MODULE SKT PROMATEII DIP/SOIC
47
AT90S1200
0838H–AVR–03/02
Serial Programming
Characteristics
Figure 36. Serial Programming Timing
Table 20. Serial Programming Characteristics, T
A = -40°C to 85°C, VCC = 2.7 - 6.0V
(unless otherwise noted)
Symbol
Parameter
Min
Typ
Max
Units
1/tCLCL
Oscillator Frequency (VCC = 2.7 - 4.0V)
0
4.0
MHz
tCLCL
Oscillator Period (VCC = 2.7 - 4.0V)
250.0
ns
1/tCLCL
Oscillator Frequency (VCC = 4.0 - 6.0V)
0
12.0
MHz
tCLCL
Oscillator Period (VCC = 4.0 - 6.0V)
83.3
ns
tSHSL
SCK Pulse Width High
4.0 tCLCL
ns
tSLSH
SCK Pulse Width Low
tCLCL
ns
tOVSH
MOSI Setup to SCK High
1.25 tCLCL
ns
tSHOX
MOSI Hold after SCK High
2.5 tCLCL
ns
tSLIV
SCK Low to MISO Valid
10.0
16.0
32.0
ns
Table 21. Minimum Wait Delay after the Chip Erase Instruction
Symbol
3.2V
3.6V
4.0V
5.0V
t
WD_ERASE
18 ms
14 ms
12 ms
8 ms
Table 22. Minimum Wait Delay after Writing a Flash or EEPROM Location
Symbol
3.2V
3.6V
4.0V
5.0V
t
WD_PROG
9 ms
7 ms
6 ms
4 ms
MOSI
MISO
SCK
t
OVSH
t
SHSL
t
SLSH
t
SHOX
t
SLIV
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