- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录11528 > PIC16C712-20I/SO (Microchip Technology)IC MCU OTP 1KX14 A/D PWM 18SOIC PDF资料下载
参数资料
| 型号： | PIC16C712-20I/SO |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 80/106页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MCU OTP 1KX14 A/D PWM 18SOIC |
| 产品培训模块： | Asynchronous Stimulus |
| 标准包装： | 42 |
| 系列： | PIC® 16C |
| 核心处理器： | PIC |
| 芯体尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 20MHz |
| 外围设备： | 欠压检测/复位，POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 13 |
| 程序存储器容量： | 1.75KB（1K x 14） |
| 程序存储器类型： | OTP |
| RAM 容量： | 128 x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 4 V ~ 5.5 V |
| 数据转换器： | A/D 4x8b |
| 振荡器型： | 外部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 18-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 包装： | 管件 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页当前第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页
2005 Microchip Technology Inc.
DS41106B-page 73
PIC16C712/716
12.0
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Absolute Maximum Ratings ()
Ambient temperature under bias............................................................................................................ .-55°C to +125°C
Storage temperature .............................................................................................................................. -65°C to +150°C
Voltage on any pin with respect to VSS (except VDD, MCLR, and RA4) ......................................... -0.3V to (VDD + 0.3V)
Voltage on VDD with respect to VSS ......................................................................................................... -0.3V to +7.5V
Voltage on MCLR with respect to VSS (Note 2) ......................................................................................... 0V to +13.25V
Voltage on RA4 with respect to Vss ............................................................................................................... 0V to +8.5V
Total power dissipation (Note 1) (PDIP and SOIC) ................................................................................................... 1.0W
Total power dissipation (Note 1) (SSOP) ................................................................................................................0.65W
Maximum current out of VSS pin ........................................................................................................................... 300 mA
Maximum current into VDD pin .............................................................................................................................. 250 mA
Input clamp current, IIK (VI < 0 or VI > VDD)
...................................................................................................................... ±20 mA
Output clamp current, IOK (VO < 0 or VO > VDD)
.............................................................................................................. ±20 mA
Maximum output current sunk by any I/O pin..........................................................................................................25 mA
Maximum output current sourced by any I/O pin .................................................................................................... 25 mA
Maximum current sunk by PORTA and PORTB (combined)................................................................................. 200 mA
Maximum current sourced by PORTA and PORTB (combined) ........................................................................... 200 mA
Note 1: Power dissipation is calculated as follows: Pdis = VDD x {IDD -
∑ IOH} + ∑ {(VDD-VOH) x IOH} + ∑(VOl x IOL)
2: Voltage spikes below VSS at the MCLR/VPP pin, inducing currents greater than 80 mA, may cause latch-up.
Thus, a series resistor of 50-100
Ω should be used when applying a “low” level to the MCLR/VPP pin rather
than pulling this pin directly to VSS.
NOTICE: Stresses above those listed under “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the
device. This is a stress rating only and functional operation of the device at those or any other conditions above those
indicated in the operation listings of this specification is not implied. Exposure to maximum rating conditions for
extended periods may affect device reliability.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VE-BTP-IY-B1 | CONVERTER MOD DC/DC 13.8V 50W |
| VE-J72-IX-S | CONVERTER MOD DC/DC 15V 75W |
| VE-J5J-IX-S | CONVERTER MOD DC/DC 36V 75W |
| VE-BTN-IY-B1 | CONVERTER MOD DC/DC 18.5V 50W |
| VE-J71-IX-S | CONVERTER MOD DC/DC 12V 75W |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PIC16C712T-04/SO | 功能描述:8位微控制器 -MCU 1.75KB 128RAM 13 I/O RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| PIC16C712T-04/SS | 功能描述:8位微控制器 -MCU 1.75KB 128RAM 13 I/O RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| PIC16C712T-04E/SO | 功能描述:8位微控制器 -MCU 1.75KB 128RAM 13 I/O RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| PIC16C712T-04E/SS | 功能描述:8位微控制器 -MCU 1.75KB 128RAM 13 I/O RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| PIC16C712T-04I/SO | 功能描述:8位微控制器 -MCU 1.75KB 128RAM 13 I/O RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。