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参数资料
型号： PIC16F1827-I/P
厂商： Microchip Technology
文件页数： 86/109页
文件大小： 0K
描述： IC PIC MCU FLASH 4K 18-DIP
产品培训模块： 8-bit PIC® Microcontroller Portfolio
标准包装： 25
系列： PIC® XLP™ mTouch™ 16F
核心处理器： PIC
芯体尺寸： 8-位
速度： 32MHz
连通性： I²C，SPI，UART/USART
外围设备： 欠压检测/复位，POR，PWM，WDT
输入/输出数： 16
程序存储器容量： 7KB（4K x 14）
程序存储器类型： 闪存
EEPROM 大小： 256 x 8
RAM 容量： 384 x 8
电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： 1.8 V ~ 5.5 V
数据转换器： A/D 12x10b
振荡器型： 内部
工作温度： -40°C ~ 85°C
封装/外壳： 18-DIP（0.300"，7.62mm）
包装： 管件
产品目录页面： 655 (CN2011-ZH PDF)
SC16C850
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.
NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 2 — 11 November 2010
38 of 55
NXP Semiconductors
SC16C850
2.5 to 3.3 V UART with 128-byte FIFOs and IrDA encoder/decoder
8.
Limiting values
9.
Static characteristics
[1]
Hysteresis input.
[2]
Except XTAL2; XTAL2 VOL is 1 V typical.
[3]
Sleep current might be higher if there is any activity on the UART data bus during Sleep mode.
[4]
Activated by LOWPWR pin.
Table 35.
Limiting values
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
VDD
supply voltage
-
7
V
Vn
voltage on any other pin
VSS 0.3
VDD +0.3 V
Tamb
ambient temperature
operating in free air
40
+85
°C
Tstg
storage temperature
65
+150
°C
Ptot/pack
total power dissipation per
package
-
500
mW
Table 36.
Static characteristics
Tamb = 40 °C to +85 °C; tolerance of VDD ± 10 %; unless otherwise specified.
Symbol
Parameter
Conditions
VDD =2.5 V
VDD =3.3 V
Unit
Min
Max
Min
Max
VIL(clk)
clock LOW-level input voltage
XTAL1 pin
0.3
0.45
0.3
0.6
V
VIH(clk)
clock HIGH-level input voltage
XTAL1 pin
1.8
VDD
2.4
VDD
V
VIL
LOW-level input voltage
except XTAL1 clock,
LOWPWR pin
0.3
0.65
0.3
0.8
V
LOWPWR pin
[1]
0.3
0.65
0.3
0.8
V
VIH
HIGH-level input voltage
except XTAL1 clock,
LOWPWR pin
1.6-2.0-
V
LOWPWR pin
[1]
1.6
VDD
2.2
VDD
V
VOL
LOW-level output voltage
IOL =4mA
[2]
--
-
0.4
V
IOL =2mA
[2]
-0.4
-
V
VOH
HIGH-level output voltage
IOH = 4mA
[2]
--
2.2
-
V
IOH = 800 μA
[2]
1.85
-
V
ILIL
LOW-level input leakage current
-
10
-
10
μA
ILIH
HIGH-level input leakage current
-
10
-
10
μA
IL(clk)
clock leakage current
LOW-level
-
30
-
30
μA
HIGH-level
-
30
-
30
μA
IDD
supply current
f = 5 MHz
-
3
-
3
mA
IDD(sleep)
sleep mode supply current
[3]
-50-
50
μA
IDD(lp)
low-power mode supply current
[4]
-50-
50
μA
Ci
input capacitance
-
5
-
5
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