参数资料
| 型号： | PIC16F716-I/P |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 95/136页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC PIC MCU FLASH 2KX14 18DIP |
| 产品培训模块： | Asynchronous Stimulus 8-bit PIC® Microcontroller Portfolio |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | PIC® 16F |
| 核心处理器： | PIC |
| 芯体尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 20MHz |
| 外围设备： | 欠压检测/复位，POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 13 |
| 程序存储器容量： | 3.5KB（2K x 14） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| RAM 容量： | 128 x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 2 V ~ 5.5 V |
| 数据转换器： | A/D 4x8b |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 18-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 639 (CN2011-ZH PDF) |
| 配用： | I3-DB16F716-ND - BOARD DAUGHTER ICEPIC3 AC162054-ND - HEADER INTERFACE ICD2 16F716 ACICE0202-ND - ADAPTER MPLABICE 18P 300 MIL AC164010-ND - MODULE SKT PROMATEII DIP/SOIC |
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2007 Microchip Technology Inc.
DS41206B-page 59
PIC16F716
8.3.10
PROGRAMMABLE DEAD-BAND
DELAY MODE
In Half-Bridge applications where all power switches
are modulated at the PWM frequency, the power
switches normally require more time to turn off than to
turn on. If both the upper and lower power switches are
switched at the same time (one turned on, and the
other turned off), both switches may be on for a short
period of time until one switch completely turns off.
During this brief interval, a very high current (shoot-
through current) will flow through both power switches,
shorting the bridge supply. To avoid this potentially
destructive shoot-through current from flowing during
switching, turning on either of the power switches is
normally delayed to allow the other switch to
completely turn off.
In Half-Bridge mode, a digitally programmable dead-
band delay is available to avoid shoot-through current
from destroying the bridge power switches. The delay
occurs at the signal transition from the non-active state
to the active state. See Figure 8-8 for illustration. The
lower seven bits of the associated PWM1CON register
(Register 8-3) sets the delay period in terms of
microcontroller instruction cycles (TCY or 4 TOSC).
FIGURE 8-8:
EXAMPLE OF HALF-
BRIDGE PWM OUTPUT
FIGURE 8-9:
EXAMPLE OF HALF-BRIDGE APPLICATIONS
Period
Pulse Width
td
(1)
P1A(2)
P1B(2)
td = Dead-Band Delay
Period
(1)
Note 1: At this time, the TMR2 register is equal to the
PR2 register.
2: Output signals are shown as active-high.
P1A
P1B
FET
Driver
FET
Driver
V+
V-
Load
+
V
-
+
V
-
Standard Half-Bridge Circuit (“Push-Pull”)
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PIC16F716T-E/SO | 功能描述:8位微控制器 -MCU 3.5KB 128 RAM 13 I/O RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| PIC16F716T-E/SS | 功能描述:8位微控制器 -MCU 3.5KB 128 RAM 13 I/O RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| PIC16F716T-I/ML | 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:MCU 8BIT RISC 28KB FLASH 2.5V/ - Tape and Reel |
| PIC16F716T-I/SO | 功能描述:8位微控制器 -MCU 3.5KB 128 RAM 13 I/O RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| PIC16F716T-I/SS | 功能描述:8位微控制器 -MCU 3.5KB 128 RAM 13 I/O RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
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