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参数资料
| 型号： | PIC16F877AT-I/PTG |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 166/234页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MCU FLASH 8KX14 W/AD 44 TQFP |
| 标准包装： | 1,200 |
| 系列： | PIC® 16F |
| 核心处理器： | PIC |
| 芯体尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 20MHz |
| 连通性： | I²C，SPI，UART/USART |
| 外围设备： | 欠压检测/复位，POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 33 |
| 程序存储器容量： | 14KB（8K x 14） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| EEPROM 大小： | 256 x 8 |
| RAM 容量： | 368 x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 4 V ~ 5.5 V |
| 数据转换器： | A/D 8x10b |
| 振荡器型： | 外部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 44-TQFP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页第141页第142页第143页第144页第145页第146页第147页第148页第149页第150页第151页第152页第153页第154页第155页第156页第157页第158页第159页第160页第161页第162页第163页第164页第165页当前第166页第167页第168页第169页第170页第171页第172页第173页第174页第175页第176页第177页第178页第179页第180页第181页第182页第183页第184页第185页第186页第187页第188页第189页第190页第191页第192页第193页第194页第195页第196页第197页第198页第199页第200页第201页第202页第203页第204页第205页第206页第207页第208页第209页第210页第211页第212页第213页第214页第215页第216页第217页第218页第219页第220页第221页第222页第223页第224页第225页第226页第227页第228页第229页第230页第231页第232页第233页第234页
2003 Microchip Technology Inc.
DS39582B-page 35
PIC16F87XA
3.3
Reading Data EEPROM Memory
To read a data memory location, the user must write the
address to the EEADR register, clear the EEPGD con-
trol bit (EECON1<7>) and then set control bit RD
(EECON1<0>). The data is available in the very next
cycle in the EEDATA register; therefore, it can be read
in the next instruction (see Example 3-1). EEDATA will
hold this value until another read or until it is written to
by the user (during a write operation).
The steps to reading the EEPROM data memory are:
1.
Write the address to EEADR. Make sure that the
address is not larger than the memory size of
the device.
2.
Clear the EEPGD bit to point to EEPROM data
memory.
3.
Set the RD bit to start the read operation.
4.
Read the data from the EEDATA register.
EXAMPLE 3-1:
DATA EEPROM READ
3.4
Writing to Data EEPROM Memory
To write an EEPROM data location, the user must first
write the address to the EEADR register and the data to
the EEDATA register. Then the user must follow a
specific write sequence to initiate the write for each byte.
The write will not initiate if the write sequence is not
exactly followed (write 55h to EECON2, write AAh to
EECON2, then set WR bit) for each byte. We strongly
recommend that interrupts be disabled during this
code segment (see Example 3-2).
Additionally, the WREN bit in EECON1 must be set to
enable write. This mechanism prevents accidental
writes to data EEPROM due to errant (unexpected)
code execution (i.e., lost programs). The user should
keep the WREN bit clear at all times, except when
updating EEPROM. The WREN bit is not cleared
by hardware
After a write sequence has been initiated, clearing the
WREN bit will not affect this write cycle. The WR bit will
be inhibited from being set unless the WREN bit is set.
At the completion of the write cycle, the WR bit is
cleared in hardware and the EE Write Complete
Interrupt Flag bit (EEIF) is set. The user can either
enable this interrupt or poll this bit. EEIF must be
cleared by software.
The steps to write to EEPROM data memory are:
1.
If step 10 is not implemented, check the WR bit
to see if a write is in progress.
2.
Write the address to EEADR. Make sure that the
address is not larger than the memory size of
the device.
3.
Write the 8-bit data value to be programmed in
the EEDATA register.
4.
Clear the EEPGD bit to point to EEPROM data
memory.
5.
Set the WREN bit to enable program operations.
6.
Disable interrupts (if enabled).
7.
Execute the special five instruction sequence:
Write 55h to EECON2 in two steps (first
to W, then to EECON2)
Write AAh to EECON2 in two steps (first
to W, then to EECON2)
Set the WR bit
8.
Enable interrupts (if using interrupts).
9.
Clear the WREN bit to disable program
operations.
10. At the completion of the write cycle, the WR bit
is cleared and the EEIF interrupt flag bit is set.
(EEIF must be cleared by firmware.) If step 1 is
not implemented, then firmware should check
for EEIF to be set, or WR to clear, to indicate the
end of the program cycle.
EXAMPLE 3-2:
DATA EEPROM WRITE
BSF
STATUS,RP1
;
BCF
STATUS,RP0
; Bank 2
MOVF
DATA_EE_ADDR,W ; Data Memory
MOVWF
EEADR
; Address to read
BSF
STATUS,RP0
; Bank 3
BCF
EECON1,EEPGD
; Point to Data
; memory
BSF
EECON1,RD
; EE Read
BCF
STATUS,RP0
; Bank 2
MOVF
EEDATA,W
; W = EEDATA
BSF
STATUS,RP1
;
BSF
STATUS,RP0
BTFSC
EECON1,WR
;Wait for write
GOTO
$-1
;to complete
BCF
STATUS,
RP0
;Bank 2
MOVF
DATA_EE_ADDR,W ;Data Memory
MOVWF
EEADR
;Address to write
MOVF
DATA_EE_DATA,W ;Data Memory Value
MOVWF
EEDATA
;to write
BSF
STATUS,RP0
;Bank 3
BCF
EECON1,EEPGD
;Point to DATA
;memory
BSF
EECON1,WREN
;Enable writes
BCF
INTCON,GIE
;Disable INTs.
MOVLW
55h
;
MOVWF
EECON2
;Write 55h
MOVLW
AAh
;
MOVWF
EECON2
;Write AAh
BSF
EECON1,WR
;Set WR bit to
;begin write
BSF
INTCON,GIE
;Enable INTs.
BCF
EECON1,WREN
;Disable writes
R
e
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S
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q
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ce
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