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参数资料
| 型号： | PIC16LC620AT-04I/SS |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 40/89页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MCU OTP 512X14 COMP 20SSOP |
| 产品培训模块： | Asynchronous Stimulus |
| 标准包装： | 1,600 |
| 系列： | PIC® 16C |
| 核心处理器： | PIC |
| 芯体尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 4MHz |
| 外围设备： | 欠压检测/复位，POR，WDT |
| 输入/输出数： | 13 |
| 程序存储器容量： | 896B（512 x 14） |
| 程序存储器类型： | OTP |
| RAM 容量： | 96 x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 2.5 V ~ 5.5 V |
| 振荡器型： | 外部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 20-SSOP（0.209"，5.30mm 宽） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | PIC16LC620AT04ISS |
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45
AT90S1200
0838H–AVR–03/02
3.
If a Chip Erase is performed (must be done to erase the Flash), wait t
WD_ERASE
after the instruction, give RESET a positive pulse, and start over from step 2.
See Table 21 on page 47 for t
WD_ERASE value.
4.
The Flash or EEPROM array is programmed one byte at a time by supplying the
address and data together with the appropriate Write instruction. An EEPROM
memory location is first automatically erased before new data is written. Wait
t
WD_PROG after transmitting the instruction. In an erased device, no $FFs in the
data file(s) needs to be programmed. See Table 22 on page 47 for t
WD_PROG
value.
5.
Any memory location can be verified by using the Read instruction which returns
the content at the selected address at the serial output MISO (PB6) pin.
At the end of the programming session, RESET can be set high to commence nor-
mal operation.
6.
Power-off sequence (if needed):
Set XTAL1 to “0” (if a crystal is not used or the device is running from the Internal
RC Oscillator).
Set RESET to “1”.
Turn VCC power off.
Data Polling EEPROM
When a byte is being programmed into the EEPROM, reading the address location
being programmed will give the value P1 until the auto-erase is finished, and then the
value P2. See Table 18 for P1 and P2 values.
At the time the device is ready for a new EEPROM byte, the programmed value will read
correctly. This is used to determine when the next byte can be written. This will not work
for the values P1 and P2, so when programming these values, the user will have to wait
for at least the prescribed time t
WD_PROG before programming the next byte. See Table 22
for t
WD_PROG value. As a chip-erased device contains $FF in all locations, programming of
addresses that are meant to contain $FF can be skipped. This does not apply if the
EEPROM is reprogrammed without first chip-erasing the device.
Data Polling Flash
When a byte is being programmed into the Flash, reading the address location being
programmed will give the value $FF. At the time the device is ready for a new byte, the
programmed value will read correctly. This is used to determine when the next byte can
be written. This will not work for the value $FF, so when programming this value, the
user will have to wait for at least t
WD_PROG before programming the next byte. As a chip-
erased device contains $FF in all locations, programming of addresses that are meant
to contain $FF, can be skipped.
Table 18. Read Back Value during EEPROM Polling
Part
P1
P2
AT90S1200
$00
$FF
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
| PIC16LC620T-04/SO | 功能描述:8位微控制器 -MCU .875KB 80 RAM 13 I/O RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| PIC16LC620T-04/SS | 功能描述:8位微控制器 -MCU .875KB 80 RAM 13 I/O RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
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