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参数资料
| 型号： | PIC16LF877T-20/PT |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | 8-BIT, FLASH, 20 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PQFP44 |
| 封装： | 10 X 10 MM, 1 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-44 |
| 文件页数： | 139/200页 |
| 文件大小： | 1378K |
| 代理商： | PIC16LF877T-20/PT |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页当前第139页第140页第141页第142页第143页第144页第145页第146页第147页第148页第149页第150页第151页第152页第153页第154页第155页第156页第157页第158页第159页第160页第161页第162页第163页第164页第165页第166页第167页第168页第169页第170页第171页第172页第173页第174页第175页第176页第177页第178页第179页第180页第181页第182页第183页第184页第185页第186页第187页第188页第189页第190页第191页第192页第193页第194页第195页第196页第197页第198页第199页第200页
PIC16F87X
1998 Microchip Technology Inc.
Preliminary
DS30292A-page 43
4.3
Reading the Data EEPROM Memory
To read a data memory location, the user must write
the address to the EEADR register, clear the EEPGD
control bit (EECON1<7>) and then set control bit RD
(EECON1<0>). The data is available, in the very next
instruction cycle, in the EEDATA register; therefore it
can be read by the next instruction. EEDATA will hold
this value until another read operation or until it is writ-
ten to by the user (during a write operation).
EXAMPLE 4-1:
DATA EEPROM READ
BSF
STATUS, RP1
;
BCF
STATUS, RP0
; Bank 2
MOVLW
DATA_EE_ADDR
;
MOVWF
EEADR
; Data Memory Address to read
BSF
STATUS, RP0
; Bank 3
BCF
EECON1, EEPGD ; Point to DATA memory
BSF
EECON1, RD
; EEPROM Read
BCF
STATUS, RP0
; Bank 2
MOVF
EEDATA, W
; W = EEDATA
4.4
Writing to the Data EEPROM Memory
To write an EEPROM data location, the address must
rst be written to the EEADR register and the data to
the
EEDATA
register.
Then
the
sequence
in
Example 4-2 must be followed to initiate the write cycle.
EXAMPLE 4-2:
DATA EEPROM WRITE
The write will not initiate if the above sequence is not
exactly followed (write 55h to EECON2, write AAh to
EECON2, then set WR bit) for each byte. It is strongly
recommended that interrupts be disabled during this
code segment.
Additionally, the WREN bit in EECON1 must be set to
enable writes. This mechanism prevents accidental
writes to data EEPROM due to unexpected code exe-
cution (i.e., lost programs). The WREN bit should be
kept clear at all times, except when updating the
EEPROM. The WREN bit is not cleared by hardware
After a write sequence has been initiated, clearing the
WREN bit will not affect the current write cycle. The WR
bit will be inhibited from being set unless the WREN bit
is set. The WREN bit must be set on a previous instruc-
tion, both WR and WREN cannot be set with the same
instruction.
At the completion of the write cycle, the WR bit is
cleared in hardware and the EEPROM Write Complete
Interrupt Flag bit (EEIF) is set. EEIF must be cleared by
software.
BSF
STATUS, RP1
;
BCF
STATUS, RP0
; Bank 2
MOVLW
DATA_EE_ADDR
;
MOVWF
EEADR
; Data Memory Address to write
MOVLW
DATA_EE_DATA
;
MOVWF
EEDATA
; Data Memory Value to write
BSF
STATUS, RP0
; Bank 3
BCF
EECON1, EEPGD ; Point to DATA memory
BSF
EECON1, WREN
; Enable writes
BCF
INTCON, GIE
; Disable Interrupts
MOVLW
55h
;
Required
MOVWF
EECON2
; Write 55h
Sequence
MOVLW
AAh
;
MOVWF
EECON2
; Write AAh
BSF
EECON1, WR
; Set WR bit to begin write
BSF
INTCON, GIE
; Enable Interrupts
SLEEP
; Wait for interrupt to signal write complete
BCF
EECON1, WREN
; Disable writes
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