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参数资料
| 型号： | PIC18F2321-E/SP |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 103/110页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC PIC MCU FLASH 4KX16 28SPDIP |
| 产品培训模块： | Asynchronous Stimulus |
| 标准包装： | 15 |
| 系列： | PIC® 18F |
| 核心处理器： | PIC |
| 芯体尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 25MHz |
| 连通性： | I²C，SPI，UART/USART |
| 外围设备： | 欠压检测/复位，HLVD，POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 25 |
| 程序存储器容量： | 8KB（4K x 16） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| EEPROM 大小： | 256 x 8 |
| RAM 容量： | 512 x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 4.2 V ~ 5.5 V |
| 数据转换器： | A/D 10x10b |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 封装/外壳： | 28-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 包装： | 管件 |
| 配用： | DVA18XP280-ND - DEVICE ADAPTER 18F2220 PDIP 28LD |
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PIC18F2221/2321/4221/4321 FAMILY
DS39689F-page 92
2009 Microchip Technology Inc.
8.5
Operation During Code-Protect
Data EEPROM memory has its own code-protect bits in
Configuration
Words.
External
read
and
write
operations are disabled if code protection is enabled.
The microcontroller itself can both read and write to the
internal data EEPROM, regardless of the state of the
code-protect Configuration bit. Refer to Section 24.0
“Special Features of the CPU” for additional
information.
8.6
Protection Against Spurious Write
To protect against spurious EEPROM writes, various
mechanisms have been implemented. On power-up,
the WREN bit is cleared. In addition, writes to the
EEPROM are blocked during the Power-up Timer
The write initiate sequence and the WREN bit together
help prevent an accidental write during Brown-out
Reset, power glitch or software malfunction.
8.7
Using the Data EEPROM
The data EEPROM is a high-endurance, byte
addressable array that has been optimized for the
storage of frequently changing data. Such data is
typically updated at least one time within the number of
writes defined by specification, D124. If any location
storing data is not written at least this often, the data
EEPROM array must be refreshed. For this reason,
values that change infrequently, or not at all, should be
stored in Flash program memory.
A simple data EEPROM refresh routine is shown in
EXAMPLE 8-3:
DATA EEPROM REFRESH ROUTINE
Note:
If data EEPROM is only used to store con-
stants and/or data that changes often, an
array refresh is likely not required. See
specification, D124.
CLRF
EEADR
; Start at address 0
BCF
EECON1, CFGS
; Set for memory
BCF
EECON1, EEPGD
; Set for Data EEPROM
BCF
INTCON, GIE
; Disable interrupts
BSF
EECON1, WREN
; Enable writes
LOOP
; Loop to refresh array
BSF
EECON1, RD
; Read current address
MOVLW
55h
;
MOVWF
EECON2
; Write 55h
MOVLW
0AAh
;
MOVWF
EECON2
; Write 0AAh
BSF
EECON1, WR
; Set WR bit to begin write
BTFSC
EECON1, WR
; Wait for write to complete
BRA
$-2
INCFSZ
EEADR, F
; Increment address
BRA
LOOP
; Not zero, do it again
BCF
EECON1, WREN
; Disable writes
BSF
INTCON, GIE
; Enable interrupts
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PIC18F2321-I/ML | 功能描述:8位微控制器 -MCU 8 KB Flash 512 RAM RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| PIC18F2321-I/SO | 功能描述:8位微控制器 -MCU 8 KB Flash 512 RAM RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| PIC18F2321-I/SP | 功能描述:8位微控制器 -MCU 8 KB Flash 512 RAM RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| PIC18F2321-I/SP | 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:8-Bit Microcontroller IC |
| PIC18F2321-I/SS | 功能描述:8位微控制器 -MCU 8KB Flash 512bytes RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
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