参数资料
型号: PIC18F25K80-E/SS
厂商: Microchip Technology
文件页数: 48/351页
文件大小: 0K
描述: MCU PIC 32KB FLASH ECAN 28SSOP
标准包装: 47
系列: PIC® XLP™ 18F
核心处理器: PIC
芯体尺寸: 8-位
速度: 64MHz
连通性: ECAN,I²C,LIN,SPI,UART/USART
外围设备: 欠压检测/复位,LVD,POR,PWM,WDT
输入/输出数: 24
程序存储器容量: 32KB(16K x 16)
程序存储器类型: 闪存
EEPROM 大小: 1K x 8
RAM 容量: 3.6K x 8
电压 - 电源 (Vcc/Vdd): 1.8 V ~ 5.5 V
数据转换器: A/D 8x12b
振荡器型: 内部
工作温度: -40°C ~ 125°C
封装/外壳: 28-SSOP(0.209",5.30mm 宽)
包装: 管件
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页当前第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页第141页第142页第143页第144页第145页第146页第147页第148页第149页第150页第151页第152页第153页第154页第155页第156页第157页第158页第159页第160页第161页第162页第163页第164页第165页第166页第167页第168页第169页第170页第171页第172页第173页第174页第175页第176页第177页第178页第179页第180页第181页第182页第183页第184页第185页第186页第187页第188页第189页第190页第191页第192页第193页第194页第195页第196页第197页第198页第199页第200页第201页第202页第203页第204页第205页第206页第207页第208页第209页第210页第211页第212页第213页第214页第215页第216页第217页第218页第219页第220页第221页第222页第223页第224页第225页第226页第227页第228页第229页第230页第231页第232页第233页第234页第235页第236页第237页第238页第239页第240页第241页第242页第243页第244页第245页第246页第247页第248页第249页第250页第251页第252页第253页第254页第255页第256页第257页第258页第259页第260页第261页第262页第263页第264页第265页第266页第267页第268页第269页第270页第271页第272页第273页第274页第275页第276页第277页第278页第279页第280页第281页第282页第283页第284页第285页第286页第287页第288页第289页第290页第291页第292页第293页第294页第295页第296页第297页第298页第299页第300页第301页第302页第303页第304页第305页第306页第307页第308页第309页第310页第311页第312页第313页第314页第315页第316页第317页第318页第319页第320页第321页第322页第323页第324页第325页第326页第327页第328页第329页第330页第331页第332页第333页第334页第335页第336页第337页第338页第339页第340页第341页第342页第343页第344页第345页第346页第347页第348页第349页第350页第351页
2010-2012 Microchip Technology Inc.
DS39977F-page 141
PIC18F66K80 FAMILY
8.3
Reading the Data EEPROM
Memory
To read a data memory location, the user must write the
address to the EEADRH:EEADR register pair, clear the
EEPGD control bit (EECON1<7>) and then set control
bit, RD (EECON1<0>). The data is available after one
instruction cycle, in the EEDATA register. It can be read
after one NOP instruction. EEDATA will hold this value
until another read operation or until it is written to by the
user (during a write operation).
The basic process is shown in Example 8-1.
8.4
Writing to the Data EEPROM
Memory
To write an EEPROM data location, the address must
first be written to the EEADRH:EEADR register pair
and the data written to the EEDATA register. The
sequence in Example 8-2 must be followed to initiate
the write cycle.
The write will not begin if this sequence is not exactly
followed (write 55h to EECON2, write 0AAh to
EECON2, then set WR bit) for each byte. It is strongly
recommended that interrupts be disabled during this
code segment.
Additionally, the WREN bit in EECON1 must be set to
enable writes. This mechanism prevents accidental
writes to data EEPROM due to unexpected code exe-
cution (i.e., runaway programs). The WREN bit should
be kept clear at all times, except when updating the
EEPROM. The WREN bit is not cleared by hardware.
After a write sequence has been initiated, EECON1,
EEADRH:EEADR and EEDATA cannot be modified.
The WR bit will be inhibited from being set unless the
WREN bit is set. The WREN bit must be set on a
previous instruction. Both WR and WREN cannot be
set with the same instruction.
At the completion of the write cycle, the WR bit is
cleared in hardware and the EEPROM Interrupt Flag bit
(EEIF) is set. The user may either enable this interrupt
or poll this bit; EEIF must be cleared by software.
8.5
Write Verify
Depending on the application, good programming
practice may dictate that the value written to the
memory should be verified against the original value.
This should be used in applications where excessive
writes can stress bits near the specification limit.
Note:
Self-write
execution
to
Flash
and
EEPROM memory cannot be done while
running in LP Oscillator (low-power)
mode. Executing a self-write will put the
device into High-Power mode.
相关PDF资料
PDF描述
VE-2TK-IY-B1 CONVERTER MOD DC/DC 40V 50W
PIC18LF26K22-E/SS IC MCU 8BIT 64KB FLASH 28SSOP
MS-156-HRMJ-13 CONN ADPT MS-156 PLUG/SMA JACK
HRMJ-W.FLP-ST1 CONN SMA-J/W.FL-P ADAPTER 50 OHM
VI-BTY-IY-B1 CONVERTER MOD DC/DC 3.3V 33W
相关代理商/技术参数
参数描述
PIC18F25K80-H/MM 功能描述:8位微控制器 -MCU CAN 32KB FL 4KBRAM 16MIPS 12b ADC CTMU RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT
PIC18F25K80-H/SS 功能描述:8位微控制器 -MCU CAN 32KB FL 4KBRAM 16MIPS 12b ADC CTMU RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT
PIC18F25K80-I/ML 功能描述:8位微控制器 -MCU 32KB FL 4KBRM 16MIPS 12bit ADC CTMU RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT
PIC18F25K80-I/MM 功能描述:8位微控制器 -MCU ECAN 32KB FL 4KB RAM 16MIPS 12b ADC CTMU RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT
PIC18F25K80-I/SO 功能描述:8位微控制器 -MCU 32KB FL 4KBRM 16MIPS 12bit ADC CTMU RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT