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参数资料
型号： PIC18F4420-E/ML
厂商： Microchip Technology
文件页数： 108/151页
文件大小： 0K
描述： IC MCU FLASH 8KX16 44QFN
产品培训模块： Asynchronous Stimulus
标准包装： 45
系列： PIC® 18F
核心处理器： PIC
芯体尺寸： 8-位
速度： 25MHz
连通性： I²C，SPI，UART/USART
外围设备： 欠压检测/复位，HLVD，POR，PWM，WDT
输入/输出数： 36
程序存储器容量： 16KB（8K x 16）
程序存储器类型： 闪存
EEPROM 大小： 256 x 8
RAM 容量： 768 x 8
电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： 4.2 V ~ 5.5 V
数据转换器： A/D 13x10b
振荡器型： 内部
工作温度： -40°C ~ 125°C
封装/外壳： 44-VQFN 裸露焊盘
包装： 管件
2011-2012 Microchip Technology Inc.
Preliminary
DS41579C-page 375
PIC16(L)F1782/3
30.5
Memory Programming Requirements
DC CHARACTERISTICS
Standard Operating Conditions (unless otherwise stated)
Operating temperature -40°C
TA +125°C
Param
No.
Sym.
Characteristic
Min.
Typ
Max.
Units
Conditions
Program Memory
Programming Specifications
D110
VIHH
Voltage on MCLR/VPP/RE3 pin
8.0
—
9.0
V
(Note 3)
D111
IDDP
Supply Current during
Programming
——
10
mA
D112
VDD for Bulk Erase
2.7
—
VDDMAX
V
D113
VPEW
VDD for Write or Row Erase
VDDMIN
—VDDMAX
V
D114
IPPPGM Current on MCLR/VPP during
Erase/Write
——
1.0
mA
D115
IDDPGM Current on VDD during Erase/Write
—
5.0
mA
Data EEPROM Memory
D116
ED
Byte Endurance
100K
—
—E/W
-40
C to +85C
D117
VDRW
VDD for Read/Write
VDDMIN
—VDDMAX
V
D118
TDEW
Erase/Write Cycle Time
—
4.0
5.0
ms
D119
TRETD Characteristic Retention
—
40
—
Year Provided no other
specifications are violated
D120
TREF
Number of Total Erase/Write
Cycles before Refresh(2)
100k
—
E/W
-40°C to +85°C
Program Flash Memory
D121
EP
Cell Endurance
10K
—
—E/W
-40
C to +85C (Note 1)
D122
VPR
VDD for Read
VDDMIN
—VDDMAX
V
D123
TIW
Self-timed Write Cycle Time
—
2
2.5
ms
D124
TRETD Characteristic Retention
—
40
—
Year Provided no other
specifications are violated
Data in “Typ” column is at 3.0V, 25°C unless otherwise stated. These parameters are for design guidance
only and are not tested.
Note 1:
Self-write and Block Erase.
2:
Refer to Section 12.2 “Using the Data EEPROM” for a more detailed discussion on data EEPROM
endurance.
3:
Required only if single-supply programming is disabled.
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PDF描述
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参数描述
PIC18F4420-I/ML 功能描述:8位微控制器 -MCU 16KB 768 RAM 36I/O RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT
PIC18F4420-I/P 功能描述:8位微控制器 -MCU 16KB 768 RAM 36I/O RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT
PIC18F4420-I/PT 功能描述:8位微控制器 -MCU 16KB 768 RAM 36I/O RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT
PIC18F4420T-I/ML 功能描述:8位微控制器 -MCU 16KB 768 RAM 36I/O RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT
PIC18F4420T-I/PT 功能描述:8位微控制器 -MCU 16KB 768 RAM 36I/O RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT
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