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参数资料
| 型号： | PIC18F45J10T-E/PT |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 29/80页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC PIC MCU FLASH 16KX16 44TQFP |
| 标准包装： | 1,200 |
| 系列： | PIC® 18F |
| 核心处理器： | PIC |
| 芯体尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 40MHz |
| 连通性： | I²C，SPI，UART/USART |
| 外围设备： | 欠压检测/复位，POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 32 |
| 程序存储器容量： | 32KB（16K x 16） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| RAM 容量： | 1K x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 数据转换器： | A/D 13x10b |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 封装/外壳： | 44-TQFP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 配用： | AC162074-ND - HEADER INTRFC MPLAB ICD2 44TQFP MA180013-ND - MODULE PLUG-IN 18F45J10 44TQFP AC162067-ND - HEADER INTRFC MPLAB ICD2 40/28P AC164330-ND - MODULE SKT FOR 44TQFP 18F45J10 |
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PIC16F8X
1998 Microchip Technology Inc.
DS30430C-page 35
7.5
Write Verify
Depending on the application, good programming prac-
tice may dictate that the value written to the Data
EEPROM should be verified (Example 7-1) to the
desired value to be written. This should be used in
applications where an EEPROM bit will be stressed
near the specification limit. The Total Endurance disk
will help determine your comfort level.
Generally the EEPROM write failure will be a bit which
was written as a ’1’, but reads back as a ’0’ (due to
leakage off the bit).
EXAMPLE 7-1:
WRITE VERIFY
BCF
STATUS, RP0 ; Bank 0
:
; Any code can go here
:
;
MOVF
EEDATA, W
; Must be in Bank 0
BSF
STATUS, RP0 ; Bank 1
READ
BSF
EECON1, RD
; YES, Read the
;
value written
BCF
STATUS, RP0 ; Bank 0
;
; Is the value written (in W reg) and
;
read (in EEDATA) the same?
;
SUBWF EEDATA, W
;
BTFSS STATUS, Z
; Is difference 0?
GOTO
WRITE_ERR
; NO, Write error
:
; YES, Good write
:
; Continue program
7.6
Protection Against Spurious Writes
There are conditions when the device may not want to
write to the data EEPROM memory. To protect against
spurious EEPROM writes, various mechanisms have
been built in. On power-up, WREN is cleared. Also, the
Power-up
Timer
(72
ms
duration)
prevents
EEPROM write.
The write initiate sequence and the WREN bit together
help prevent an accidental write during brown-out,
power glitch, or software malfunction.
7.7
Data EEPROM Operation during Code
Protect
When the device is code protected, the CPU is able to
read and write unscrambled data to the Data EEPROM.
For ROM devices, there are two code protection bits
(Section 8.1). One for the ROM program memory and
one for the Data EEPROM memory.
TABLE 7-1
REGISTERS/BITS ASSOCIATED WITH DATA EEPROM
Address
Name
Bit 7
Bit 6
Bit 5
Bit 4
Bit 3
Bit 2
Bit 1
Bit 0
Value on
Power-on
Reset
Value on all
other resets
08h
EEDATA
EEPROM data register
xxxx xxxx
uuuu uuuu
09h
EEADR
EEPROM address register
xxxx xxxx
uuuu uuuu
88h
EECON1
—
EEIF
WRERR
WREN
WR
RD
---0 x000
---0 q000
89h
EECON2
EEPROM control register 2
---- ----
Legend: x = unknown, u = unchanged, - = unimplemented read as ’0’, q = value depends upon condition. Shaded cells are not
used by Data EEPROM.
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PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PIC18F45J10T-I/ML | 功能描述:8位微控制器 -MCU 32 KB FL 1024 RAM RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| PIC18F45J10T-I/PT | 功能描述:8位微控制器 -MCU 32 KB FL 1024 RAM RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| PIC18F45J11-I/ML | 功能描述:8位微控制器 -MCU 32KB Flash 4KBRAM 12MIPS nanoWatt RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| PIC18F45J11-I/PT | 功能描述:8位微控制器 -MCU 32KB Flash 4KBRAM 12MIPS nanoWatt RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
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