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参数资料
| 型号： | PIC18F45K20-I/MV |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 216/234页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MCU 32KB FLASH 1536B RAM 40-UQFN |
| 产品培训模块： | 8-bit PIC® Microcontroller Portfolio |
| 标准包装： | 73 |
| 系列： | PIC® XLP™ 18F |
| 核心处理器： | PIC |
| 芯体尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 64MHz |
| 连通性： | I²C，SPI，UART/USART |
| 外围设备： | 欠压检测/复位，HLVD，POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 35 |
| 程序存储器容量： | 32KB（16K x 16） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| EEPROM 大小： | 256 x 8 |
| RAM 容量： | 1.5K x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 1.8 V ~ 3.6 V |
| 数据转换器： | A/D 14x10b |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 40-UFQFN 裸露焊盘 |
| 包装： | 管件 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页第141页第142页第143页第144页第145页第146页第147页第148页第149页第150页第151页第152页第153页第154页第155页第156页第157页第158页第159页第160页第161页第162页第163页第164页第165页第166页第167页第168页第169页第170页第171页第172页第173页第174页第175页第176页第177页第178页第179页第180页第181页第182页第183页第184页第185页第186页第187页第188页第189页第190页第191页第192页第193页第194页第195页第196页第197页第198页第199页第200页第201页第202页第203页第204页第205页第206页第207页第208页第209页第210页第211页第212页第213页第214页第215页当前第216页第217页第218页第219页第220页第221页第222页第223页第224页第225页第226页第227页第228页第229页第230页第231页第232页第233页第234页
dsPIC33F
DS70165E-page 80
Preliminary
2007 Microchip Technology Inc.
4.4.1
PROGRAMMING ALGORITHM FOR
FLASH PROGRAM MEMORY
The user can program one row of program Flash
memory at a time. To do this, it is necessary to erase
the 8-row erase page that contains the desired row.
The general process is:
1.
Read
eight
rows
of
program
memory
(512 instructions) and store in data RAM.
2.
Update the program data in RAM with the
desired new data.
3.
Erase the block (see Example 4-1):
a)
Set the NVMOP bits (NVMCON<3:0>) to
‘0010’ to configure for block erase. Set the
ERASE (NVMCON<6>) and WREN (NVM-
CON<14>) bits.
b)
Write the starting address of the page to be
erased into the TBLPAG and W registers.
c)
Write 55h to NVMKEY.
d)
Write AAh to NVMKEY.
e)
Set the WR bit (NVMCON<15>). The erase
cycle begins and the CPU stalls for the dura-
tion of the erase cycle. When the erase is
done, the WR bit is cleared automatically.
4.
Write the first 64 instructions from data RAM into
the program memory buffers (see Example 4-2).
5.
Write the program block to Flash memory:
a)
Set the NVMOP bits to ‘0001’ to configure
for row programming. Clear the ERASE bit
and set the WREN bit.
b)
Write 55h to NVMKEY.
c)
Write AAh to NVMKEY.
d)
Set the WR bit. The programming cycle
begins and the CPU stalls for the duration of
the write cycle. When the write to Flash mem-
ory
is
done,
the
WR
bit
is
cleared
automatically.
6.
Repeat steps 4 and 5, using the next available
64 instructions from the block in data RAM by
incrementing the value in TBLPAG, until all
512 instructions are written back to Flash memory.
For protection against accidental operations, the write
initiate sequence for NVMKEY must be used to allow
any erase or program operation to proceed. After the
programming command has been executed, the user
must wait for the programming time until programming
is complete. The two instructions following the start of
the programming sequence should be NOPs, as shown
in Example 4-3.
EXAMPLE 4-1:
ERASING A PROGRAM MEMORY PAGE
; Set up NVMCON for block erase operation
MOV
#0x4042, W0
;
MOV
W0, NVMCON
; Initialize NVMCON
; Init pointer to row to be ERASED
MOV
#tblpage(PROG_ADDR), W0
;
MOV
W0, TBLPAG
; Initialize PM Page Boundary SFR
MOV
#tbloffset(PROG_ADDR), W0
; Initialize in-page EA[15:0] pointer
TBLWTL
W0, [W0]
; Set base address of erase block
DISI
#5
; Block all interrupts with priority <7
; for next 5 instructions
MOV
#0x55, W0
MOV
W0, NVMKEY
; Write the 55 key
MOV
#0xAA, W1
;
MOV
W1, NVMKEY
; Write the AA key
BSET
NVMCON, #WR
; Start the erase sequence
NOP
; Insert two NOPs after the erase
NOP
; command is asserted
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PDF描述 |
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