参数资料
型号: PIC18F65K90-E/MR
厂商: Microchip Technology
文件页数: 83/110页
文件大小: 0K
描述: IC MCU 8BIT 32KB FLASH 64QFN
标准包装: 40
系列: PIC® XLP™ 18F
核心处理器: PIC
芯体尺寸: 8-位
速度: 64MHz
连通性: I²C,LIN,SPI,UART/USART
外围设备: 欠压检测/复位,LCD,POR,PWM,WDT
输入/输出数: 53
程序存储器容量: 32KB(16K x 16)
程序存储器类型: 闪存
EEPROM 大小: 1K x 8
RAM 容量: 2K x 8
电压 - 电源 (Vcc/Vdd): 1.8 V ~ 5.5 V
数据转换器: A/D 16x12b
振荡器型: 内部
工作温度: -40°C ~ 125°C
封装/外壳: 64-VFQFN 裸露焊盘
包装: 管件
2010 Microchip Technology Inc.
Preliminary
DS39964B-page 529
PIC18F47J53 FAMILY
TABLE 31-1:
MEMORY PROGRAMMING REQUIREMENTS
TABLE 31-2:
COMPARATOR SPECIFICATIONS
TABLE 31-3:
VOLTAGE REFERENCE SPECIFICATIONS
DC CHARACTERISTICS
Standard Operating Conditions (unless otherwise stated)
Operating temperature -40°C
TA +85°C for industrial
Param
No.
Sym
Characteristic
Min
Typ
Max
Units
Conditions
Program Flash Memory
D130
EP
Cell Endurance
10K
E/W -40
C to +85C
D131
VPR
VDDcore for Read
VMIN
—2.75
V
VMIN = Minimum operating
voltage
D132B VPEW VDDCORE for Self-Timed Erase or
Write
2.25
2.75
V
D133A TIW
Self-Timed Write Cycle Time
2.8
ms
64 bytes
D133B TIE
Self-Timed Block Erase Cycle
Time
—33.0—
ms
D134
TRETD Characteristic Retention
20
Year Provided no other
specifications are violated
D135
IDDP
Supply Current during
Programming
—3—
mA
Data in “Typ” column is at 3.3V, 25°C unless otherwise stated. These parameters are for design guidance
only and are not tested.
Operating Conditions: 3.0V < VDD < 3.6V, -40°C < TA < +85°C (unless otherwise stated)
Param
No.
Sym
Characteristics
Min
Typ
Max
Units
Comments
D300
VIOFF
Input Offset Voltage
+5+25
mV
D301
VICM
Input Common Mode Voltage
0
VDD
V
VIRV
Internal Reference Voltage
0.57
0.60
0.63
V
D302
CMRR
Common Mode Rejection Ratio
55
dB
300
TRESP
Response Time(1)
—150
400
ns
301
TMC2OV
Comparator Mode Change to
Output Valid
——
10
s
Note 1: Response time measured with one comparator input at VDD/2, while the other input transitions from VSS to
VDD.
Operating Conditions: 3.0V < VDD < 3.6V, -40°C < TA < +85°C (unless otherwise stated)
Param
No.
Sym
Characteristics
Min
Typ
Max
Units
Comments
D310
VRES
Resolution
VDD/24
VDD/32
LSb
D311
VRAA
Absolute Accuracy
1/2
LSb
D312
VRUR
Unit Resistor Value (R)
2k
310
TSET
Settling Time(1)
10
s
Note 1:
Settling time measured while CVRR = 1 and CVR<3:0> bits transition from ‘0000’ to ‘1111’.
相关PDF资料
PDF描述
VI-J5H-IW-S CONVERTER MOD DC/DC 52V 100W
VI-J5F-IW-S CONVERTER MOD DC/DC 72V 100W
VI-JVL-IY-B1 CONVERTER MOD DC/DC 28V 50W
VI-J5D-IW-S CONVERTER MOD DC/DC 85V 100W
GRM21B6T2A430JD01L CAP CER 43PF 100V 5% T2H 0805
相关代理商/技术参数
参数描述
PIC18F65K90-I/MR 功能描述:8位微控制器 -MCU 32kB Flash 2kB RAM LCD RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT
PIC18F65K90-I/MRRSL 功能描述:8位微控制器 -MCU 32KB Flash 2KB RAM nanoWatt XLP LCD RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT
PIC18F65K90-I/PT 功能描述:8位微控制器 -MCU 32kB Flash 2kB RAM LCD RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT
PIC18F65K90-I/PTRSL 功能描述:8位微控制器 -MCU 32KB Flash 2KB RAM nanoWatt XLP LCD RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT
PIC18F65K90T-I/MR 功能描述:8位微控制器 -MCU 32kB Flash 2kB RAM LCD RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT