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参数资料
型号： PIC18LC601-I/PT
厂商： Microchip Technology
文件页数： 94/319页
文件大小： 0K
描述： IC MCU ROMLESS A/D PWM 64TQFP
标准包装： 160
系列： PIC® 18C
核心处理器： PIC
芯体尺寸： 8-位
速度： 25MHz
连通性： EBI/EMI，I²C，SPI，UART/USART
外围设备： 欠压检测/复位，LVD，POR，PWM，WDT
输入/输出数： 26
程序存储器类型： ROMless
RAM 容量： 1.5K x 8
电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： 2 V ~ 5.5 V
数据转换器： A/D 8x10b
振荡器型： 外部
工作温度： -40°C ~ 85°C
封装/外壳： 64-TQFP
包装： 托盘
其它名称： PIC18LC601I/PT
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页当前第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页第141页第142页第143页第144页第145页第146页第147页第148页第149页第150页第151页第152页第153页第154页第155页第156页第157页第158页第159页第160页第161页第162页第163页第164页第165页第166页第167页第168页第169页第170页第171页第172页第173页第174页第175页第176页第177页第178页第179页第180页第181页第182页第183页第184页第185页第186页第187页第188页第189页第190页第191页第192页第193页第194页第195页第196页第197页第198页第199页第200页第201页第202页第203页第204页第205页第206页第207页第208页第209页第210页第211页第212页第213页第214页第215页第216页第217页第218页第219页第220页第221页第222页第223页第224页第225页第226页第227页第228页第229页第230页第231页第232页第233页第234页第235页第236页第237页第238页第239页第240页第241页第242页第243页第244页第245页第246页第247页第248页第249页第250页第251页第252页第253页第254页第255页第256页第257页第258页第259页第260页第261页第262页第263页第264页第265页第266页第267页第268页第269页第270页第271页第272页第273页第274页第275页第276页第277页第278页第279页第280页第281页第282页第283页第284页第285页第286页第287页第288页第289页第290页第291页第292页第293页第294页第295页第296页第297页第298页第299页第300页第301页第302页第303页第304页第305页第306页第307页第308页第309页第310页第311页第312页第313页第314页第315页第316页第317页第318页第319页
PIC18F2585/2680/4585/4680
DS39625C-page 182
Preliminary
2007 Microchip Technology Inc.
16.4.6
PROGRAMMABLE DEAD-BAND
DELAY
In half-bridge applications where all power switches are
modulated at the PWM frequency at all times, the power
switches normally require more time to turn off than to
turn on. If both the upper and lower power switches are
switched at the same time (one turned on and the other
turned off), both switches may be on for a short period of
time until one switch completely turns off. During this
brief interval, a very high current (
shoot-through current)
may flow through both power switches, shorting the
bridge supply. To avoid this potentially destructive
shoot-through current from flowing during switching,
turning on either of the power switches is normally
delayed to allow the other switch to completely turn off.
In the Half-Bridge Output mode, a digitally program-
mable
dead-band
delay
is
available
to
avoid
shoot-through current from destroying the bridge
power switches. The delay occurs at the signal transi-
tion from the non-active state to the active state. See
Figure 16-4 for illustration. Bits PDC6:PDC0 of the
ECCP1DEL register (Register 16-2) set the delay
period in terms of microcontroller instruction cycles
(TCY or 4 TOSC). These bits are not available on
PIC18F2X8X devices, as the standard CCP1 module
does not support half-bridge operation.
16.4.7
ENHANCED PWM AUTO-SHUTDOWN
When the CCP1 is programmed for any of the Enhanced
PWM modes, the active output pins may be configured
for auto-shutdown. Auto-shutdown immediately places
the Enhanced PWM output pins into a defined shutdown
state when a shutdown event occurs.
A shutdown event can be caused by either of the
comparator
modules,
a
low
level
on
the
RB0/INT0/FLT0/AN10 pin, or any combination of these
three sources. The comparators may be used to monitor
a voltage input proportional to a current being monitored
in the bridge circuit. If the voltage exceeds a threshold,
the comparator switches state and triggers a shutdown.
Alternatively, a digital signal on the INT0 pin can also
trigger a shutdown. The auto-shutdown feature can be
disabled by not selecting any auto-shutdown sources.
The auto-shutdown sources to be used are selected
using the ECCPAS2:ECCPAS0 bits (bits<6:4> of the
ECCP1AS register).
When a shutdown occurs, the output pins are asyn-
chronously placed in their shutdown states, specified
by the PSSAC1:PSSAC0 and PSS1BD1:PSS1BD0
bits (ECCPAS3:ECCPAS0). Each pin pair (P1A/P1C
and P1B/P1D) may be set to drive high, drive low or be
tri-stated
(not
driving).
The
ECCPASE
bit
(ECCP1AS<7>) is also set to hold the Enhanced PWM
outputs in their shutdown states.
The ECCPASE bit is set by hardware when a shutdown
event occurs. If automatic restarts are not enabled, the
ECCPASE bit is cleared by firmware when the cause of
the shutdown clears. If automatic restarts are enabled,
the ECCPASE bit is automatically cleared when the
cause of the auto-shutdown has cleared.
If the ECCPASE bit is set when a PWM period begins,
the PWM outputs remain in their shutdown state for that
entire PWM period. When the ECCPASE bit is cleared,
the PWM outputs will return to normal operation at the
beginning of the next PWM period.
REGISTER 16-2:
ECCP1DEL: PWM CONFIGURATION REGISTER
Note:
Programmable dead-band delay is not
implemented in PIC18F2X8X devices with
standard CCP1 modules.
Note:
Writing to the ECCPASE bit is disabled
while a shutdown condition is active.
R/W-0
PRSEN
PDC6(1)
PDC5(1)
PDC4(1)
PDC3(1)
PDC2(1)
PDC1(1)
PDC0(1)
bit 7
bit 0
bit 7
PRSEN: PWM Restart Enable bit
1
= Upon auto-shutdown, the ECCPASE bit clears automatically once the shutdown event
goes away; the PWM restarts automatically
0
= Upon auto-shutdown, ECCPASE must be cleared in software to restart the PWM
bit 6-0
PDC6:PDC0: PWM Delay Count bits(1)
Delay time, in number of FOSC/4 (4 * TOSC) cycles, between the scheduled and actual time for
a PWM signal to transition to active.
Note 1: Reserved on PIC18F2X8X devices; maintain these bits clear.
Legend:
R = Readable bit
W = Writable bit
U = Unimplemented bit, read as ‘0’
-n = Value at POR
‘1’ = Bit is set
‘0’ = Bit is cleared
x = Bit is unknown
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参数描述
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PIC18LC658/CL 功能描述:8位微控制器 -MCU 32KB 1536 RAM 52I/O RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT
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