收藏本站
参数资料
型号： PIC18LF26J50T-I/SO
厂商： Microchip Technology
文件页数： 2/32页
文件大小： 0K
描述： IC PIC MCU FLASH 64KB 28-SOIC
标准包装： 1,600
系列： PIC® XLP™ 18F
核心处理器： PIC
芯体尺寸： 8-位
速度： 48MHz
连通性： I²C，SPI，UART/USART，USB
外围设备： 欠压检测/复位，DMA，POR，PWM，WDT
输入/输出数： 16
程序存储器容量： 64KB（32K x 16）
程序存储器类型： 闪存
RAM 容量： 3.8K x 8
电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： 2 V ~ 3.6 V
数据转换器： A/D 10x10b
振荡器型： 内部
工作温度： -40°C ~ 85°C
封装/外壳： 28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
包装： 带卷 (TR)
PIC18F2XJXX/4XJXX FAMILY
DS39687E-page 10
2009 Microchip Technology Inc.
3.1.2
ICSP ROW ERASE
It is possible to erase one row (1024 bytes of data),
provided
the
block
is
not
code-protected
or
erase/write-protected. Rows are located at static
boundaries beginning at program memory address
000000h, extending to the internal program memory
limit (see Section 2.2 “Memory Maps”).
The Row Erase duration is internally timed. After the
WR bit in EECON1 is set, a NOP is issued, where the
4th PGC is held high for the duration of the Row Erase
time, P10.
The
code
sequence
to
Row
Erase
a
PIC18F2XJXX/4XJXX family device is shown in
Table 3-2. The flowchart shown in Figure 3-4 depicts the
logic
necessary
to
completely
erase
a
PIC18F2XJXX/4XJXX family device. The timing
diagram that details the “Row Erase” command and
parameter P10 is shown in Figure 3-6.
TABLE 3-2:
ERASE CODE MEMORY CODE SEQUENCE
FIGURE 3-3:
SET WR AND START ROW ERASE TIMING
Note 1: If the last row of program memory is
erased, bit 3 of CONFIG1H must also be
programmed as ‘0’.
2: The TBLPTR register can point at any
byte within the row intended for erase.
3: If code protection has been enabled,
ICSP Bulk Erase (all program memory
erased) operations can be used to dis-
able code protection. ICSP Row Erase
operations cannot be used to disable
code protection.
4-Bit
Command
Data Payload
Core Instruction
Step 1: Enable memory writes.
0000
84 A6
BSF
EECON1, WREN
Step 2: Point to first row in code memory.
0000
6A F8
6A F7
6A F6
CLRF
TBLPTRU
CLRF
TBLPTRH
CLRF
TBLPTRL
Step 3: Enable erase and erase single row.
0000
88 A6
82 A6
00 00
BSF
EECON1, FREE
BSF
EECON1, WR
NOP – hold PGC high for time P10.
Step 4: Repeat step 3, with Address Pointer incremented by 1024, until all rows are erased.
12
3
4
1
2
15 16
12
3
4
PGC
P5A
PGD
PGD = Input
0
00
0
34
6
5
P10
P5
Row-Erase Time
01
1
01
0
1
00
12
0
00
16-Bit
Data Payload
0
3
0
P5
4-Bit Command
16-Bit Data Payload
4-Bit Command
相关PDF资料
PDF描述
PIC18F26J50T-I/SO IC PIC MCU FLASH 64KB 28-SOIC
ADG1608BRUZ IC MULTIPLEXER 8X1 16TSSOP
ADG1414BRUZ IC SW SPST 9.5OHM RON 24TSSOP
ADG1409YRUZ IC MULTIPLEXER DUAL 4X1 16TSSOP
ADG1408YRUZ IC MULTIPLEXER 8X1 16TSSOP
相关代理商/技术参数
参数描述
PIC18LF26J53-I/ML 功能描述:8位微控制器 -MCU 64KB Flash 4KB RAM 12MIPS nanoWatt RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT
PIC18LF26J53-I/SO 功能描述:8位微控制器 -MCU 64KB Flash 4KB RAM 12MIPS nanoWatt RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT
PIC18LF26J53-I/SP 功能描述:8位微控制器 -MCU 64KB FLASH 4KBRAM 12 MIPS nanoWatt RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT
PIC18LF26J53-I/SS 功能描述:8位微控制器 -MCU 64KB Flash 4KB RAM 12MIPS nanoWatt RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT
PIC18LF26J53T-I/ML 功能描述:8位微控制器 -MCU USB 64KB Flash 4KB RAM 12 MIPS 12b ADC RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*