参数资料
型号: PIC18LF4680T-I/ML
厂商: Microchip Technology
文件页数: 14/322页
文件大小: 0K
描述: IC MCU FLASH 32KX16 44QFN
标准包装: 1,600
系列: PIC® 18F
核心处理器: PIC
芯体尺寸: 8-位
速度: 40MHz
连通性: CAN,I²C,SPI,UART/USART
外围设备: 欠压检测/复位,HLVD,POR,PWM,WDT
输入/输出数: 36
程序存储器容量: 64KB(32K x 16)
程序存储器类型: 闪存
EEPROM 大小: 1K x 8
RAM 容量: 3.25K x 8
电压 - 电源 (Vcc/Vdd): 2 V ~ 5.5 V
数据转换器: A/D 11x10b
振荡器型: 内部
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 44-VQFN 裸露焊盘
包装: 带卷 (TR)
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PIC18F2585/2680/4585/4680
DS39625C-page 108
Preliminary
2007 Microchip Technology Inc.
7.6
Operation During Code-Protect
Data EEPROM memory has its own code-protect bits in
Configuration
Words.
External
read
and
write
operations are disabled if code protection is enabled.
The microcontroller itself can both read and write to the
internal Data EEPROM, regardless of the state of the
code-protect Configuration bit. Refer to Section 24.0
information.
7.7
Protection Against Spurious Write
There are conditions when the device may not want to
write to the data EEPROM memory. To protect against
spurious EEPROM writes, various mechanisms have
been implemented. On power-up, the WREN bit is
cleared. In addition, writes to the EEPROM are blocked
during
the
Power-up
Timer
period
(TPWRT,
parameter 33).
The write initiate sequence and the WREN bit together
help prevent an accidental write during brown-out,
power glitch or software malfunction.
7.8
Using the Data EEPROM
The data EEPROM is a high endurance, byte address-
able array that has been optimized for the storage of
frequently
changing
information
(e.g.,
program
variables or other data that are updated often).
Frequently changing values will typically be updated
more often than specification D124. If this is not the
case, an array refresh must be performed. For this
reason, variables that change infrequently (such as
constants, IDs, calibration, etc.) should be stored in
Flash program memory.
A simple data EEPROM refresh routine is shown in
EXAMPLE 7-3:
DATA EEPROM REFRESH ROUTINE
Note:
If data EEPROM is only used to store
constants and/or data that changes rarely,
an array refresh is likely not required. See
specification D124.
CLRF
EEADR
; Start at address 0
CLRF
EEADRH
;
BCF
EECON1, CFGS
; Set for memory
BCF
EECON1, EEPGD
; Set for Data EEPROM
BCF
INTCON, GIE
; Disable interrupts
BSF
EECON1, WREN
; Enable writes
Loop
; Loop to refresh array
BSF
EECON1, RD
; Read current address
MOVLW
55h
;
MOVWF
EECON2
; Write 55h
MOVLW
0AAh
;
MOVWF
EECON2
; Write 0AAh
BSF
EECON1, WR
; Set WR bit to begin write
BTFSC
EECON1, WR
; Wait for write to complete
BRA
$-2
INCFSZ
EEADR, F
; Increment address
BRA
LOOP
; Not zero, do it again
INCFSZ
EEADRH, F
; Increment the high address
BRA
LOOP
; Not zero, do it again
BCF
EECON1, WREN
; Disable writes
BSF
INTCON, GIE
; Enable interrupts
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PDF描述
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PIC18LF4682-I/ML 功能描述:8位微控制器 -MCU 80KB FL 3KB RAM ECAN 1024 EEPROM RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT
PIC18LF4682-I/P 功能描述:8位微控制器 -MCU 80KB FL 3KB RAM ECAN 1024 EEPROM RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT
PIC18LF4682-I/PT 功能描述:8位微控制器 -MCU 80KB FL 3KB RAM ECAN 1024 EEPROM RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT
PIC18LF4685-I/ML 功能描述:8位微控制器 -MCU 96KB FL 3KB RAM ECAN 1024 EEPROM RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT
PIC18LF4685-I/P 功能描述:8位微控制器 -MCU 96KB FL 3KB RAM ECAN 1024 EEPROM RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT