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参数资料
| 型号： | PIC24HJ128GP202-E/SO |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 32/84页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC PIC MCU FLASH 128K 28-SOIC |
| 标准包装： | 27 |
| 系列： | PIC® 24H |
| 核心处理器： | PIC |
| 芯体尺寸： | 16-位 |
| 速度： | 40 MIP |
| 连通性： | I²C，IrDA，LIN，PMP，SPI，UART/USART |
| 外围设备： | 欠压检测/复位，DMA，POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 21 |
| 程序存储器容量： | 128KB（43K x 24） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| RAM 容量： | 8K x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 3 V ~ 3.6 V |
| 数据转换器： | A/D 10x10b/12b |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 封装/外壳： | 28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 649 (CN2011-ZH PDF) |
| 配用： | AC164339-ND - MODULE SKT FOR PM3 28SOIC |
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dsPIC33F/PIC24H PROGRAMMING SPECIFICATION
DS70152H-page 38
2010 Microchip Technology Inc.
TABLE 5-4:
SERIAL INSTRUCTION EXECUTION FOR BULK ERASING CODE MEMORY
5.6
Writing Code Memory
The procedure for writing code memory is similar to the
procedure for writing the Configuration registers,
except that 64 instruction words are programmed at a
time. To facilitate this operation, working registers,
W0:W5, are used as temporary holding registers for the
data to be programmed.
Table 5-5 shows the ICSP programming details,
including the serial pattern with the ICSP command
code, which must be transmitted Least Significant bit
first using the PGCx and PGDx pins (see Figure 5-2).
In Step 1, the Reset vector is exited. In Step 2, the
NVMCON register is initialized for programming of
code memory. In Step 3, the 24-bit starting destination
address for programming is loaded into the TBLPAG
register and W7 register. The upper byte of the
starting destination address is stored in TBLPAG and
the lower 16 bits of the destination address are stored
in W7.
To minimize the programming time, the same packed
instruction format that the programming executive uses
is utilized (see Figure 4-4). In Step 4, four packed
instruction words are stored in working registers,
W0:W5, using the MOV instruction and the read pointer,
W6, is initialized. The contents of W0:W5 holding the
packed instruction word data are illustrated in
Figure 5-7. In Step 5, eight TBLWT instructions are used
to copy the data from W0:W5 to the write latches of
code memory. Since code memory is programmed 64
instruction words at a time, Steps 4 and 5 are repeated
16 times to load all the write latches (Step 6).
After the write latches are loaded, programming is
initiated by writing to the NVMCON register in Steps 7
and 8. In Step 9, the internal PC is reset to 0x200. This is
a precautionary measure to prevent the PC from
incrementing into unimplemented memory when large
devices are being programmed. Lastly, in Step 10,
Steps 3-9 are repeated until all of code memory is
programmed.
FIGURE 5-7:
PACKED INSTRUCTION
WORDS IN W0:W5
Command
(Binary)
Data
(Hex)
Description
Step 1: Exit the Reset vector.
0000
040200
000000
GOTO
0x200
GOTO
0x200
NOP
Step 2: Set the NVMCON to erase all program memory.
0000
2404FA
883B0A
MOV
#0x404F, W10
MOV
W10, NVMCON
Step 3: Initiate the erase cycle.
0000
A8E761
000000
BSET
NVMCON, #WR
NOP
Step 4: Wait for Bulk Erase operation to complete and make sure WR bit is clear.
—
Externally time ‘P11’ msec (see Section 8.0 “AC/DC Characteristics and
Timing Requirements”) to allow sufficient time for the Bulk Erase operation to
complete.
15
8
7
0
W0
LSW0
W1
MSB1
MSB0
W2
LSW1
W3
LSW2
W4
MSB3
MSB2
W5
LSW3
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