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参数资料
| 型号： | PMBFJ111-TAPE-7 |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 40 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 61K |
| 代理商： | PMBFJ111-TAPE-7 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PMBTH10TRL13 | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| PMBTH81TRL | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| PMJ-14-FC/APC-F-30-1 | INTERCONNECTION DEVICE |
| PMSD-02-16C-HP-03.50-DMDX | INTERCONNECTION DEVICE |
| PMSD-08-206C-HP-03.50-DMUX | INTERCONNECTION DEVICE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PMBFJ112 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR JFET N RF SOT-23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, JFET, N, RF, SOT-23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, JFET, N, RF, SOT-23; Transistor Type:JFET; Breakdown Voltage Vbr:40V; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min:5mA; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:3V; Power Dissipation Pd:300mW; Transistor Case Style:SOT-23; No.;RoHS Compliant: Yes |
| PMBFJ112 T/R | 功能描述:射频JFET晶体管 TAPE7 FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| PMBFJ112,215 | 功能描述:射频JFET晶体管 TAPE7 FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| PMBFJ112-215 | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel junction FETs Rev. 4 a?? 20 September 2011 |
| PMBFJ112T/R | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans JFET N-CH 40V 3-Pin TO-236AB T/R |
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