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参数资料
| 型号： | PMEG1020EA,115 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 58K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD323 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 10V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 2A（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 460mV @ 2A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 3mA @ 10V |
| 电容@ Vr, F： | 45pF @ 5V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-76，SOD-323 |
| 供应商设备封装： | SOD-323 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
 PMEG1020EA_4 ? NXP B.V. 2009. All rights reserved. Product data sheet Rev. 04 — 30 December 2008 3 of 9 NXP Semiconductors PMEG1020EA 2 A ultra low VF MEGA Schottky barrier recti?er 6. Thermal characteristics [1] Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated and standard footprint. [2] Device mounted on an FR4 PCB with copper clad 10 × 10 mm. [3] Soldering point of cathode tab. 7. Characteristics [1] Pulse test: tp ≤ 300 μs; δ≤0.02. [2] For Schottky barrier diodes thermal runaway has to be considered, as in some applications the reverse power losses PR are a signi?cant part of the total power losses. Table 6. Thermal characteristics Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit Rth(j-a) thermal resistance from junction to ambient in free air [1] - - 450 K/W [2] - - 210 K/W Rth(j-sp) thermal resistance from junction to solder point [3] --90K/W Table 7. Characteristics Tamb=25°C unless otherwise speci?ed. Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit VF forward voltage [1] IF= 0.01 A - 100 130 mV IF= 0.1 A - 170 200 mV IF= 1 A - 280 350 mV IF= 2 A - 350 460 mV IR reverse current [2] VR= 5 V - 0.7 2 mA VR= 8 V - 1 2.5 mA VR= 10 V - 1.2 3 mA Cd diode capacitance VR= 5 V; f = 1 MHz - 37 45 pF |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PMEG1020EH,115 | SCHOTTKY RECT 10V 2A SOD123F |
| PMEG1020EV,115 | DIODE SCHOTTKY 10V 2S SOT666 |
| PMEG1030EJ,115 | SCHOTTKY RECT 10V 3A SOD323F |
| PMEG2005AEL,315 | SCHOTTKY RECT 20V 0.5A SOD882 |
| PMEG2005AELD,315 | DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD882D |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PMEG1020EH | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE SCHOTTKY 2A 10V SOD-123F 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, SCHOTTKY, 2A, 10V, SOD-123F 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Diode Schottky 10V 2A,PMEG1020EH |
| PMEG1020EH,115 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY 10V 2A RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| PMEG1020EJ | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE SCHOTTKY SOD-323 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, SCHOTTKY, SOD-323 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, SCHOTTKY, SOD-323; Diode Type:Schottky; Diode Configuration:Single; Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:10V; Forward Current If(AV):2A; Forward Voltage VF Max:460mV; Forward Surge Current Ifsm Max:10A; Operating Temperature ;RoHS Compliant: Yes 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Diode Schottky 10V 2A ,PMEG1020EJ |
| PMEG1020EJ,115 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY 10V 2A RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| PMEG1020EV | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE SCHOTTKY SOT-666 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, SCHOTTKY, SOT-666 |
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