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参数资料
型号： PMEG1020EH,115
厂商： NXP Semiconductors
文件页数： 3/9页
文件大小： 105K
描述： SCHOTTKY RECT 10V 2A SOD123F
产品目录绘图： SOD-123F Pin Out
SOD-123F Circuit
标准包装： 3,000
二极管类型： 肖特基
电压 - (Vr)（最大）： 10V
电流 - 平均整流 (Io)： 2A（DC）
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： 460mV @ 2A
速度： 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）
电流 - 在 Vr 时反向漏电： 3mA @ 10V
电容@ Vr, F： 50pF @ 5V，1MHz
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SOD-123F
供应商设备封装： SOD-123F
包装： 带卷 (TR)
其它名称： PMEG1020EH115-CHP
PMEG1020EH_EJ_4
? NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 04 — 15 January 2010 3 of 9
NXP Semiconductors
PMEG1020EH; PMEG1020EJ
10 V, 2 A ultra low VF MEGA Schottky barrier rectifiers
[1] Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated and standard
footprint.
[2] Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated, mounting pad for cathode 1 cm2.
6. Thermal characteristics
[1] Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated and standard footprint.
[2] For Schottky barrier rectifiers thermal run-away has to be considered, as in some
applications the reverse
power losses PR
are a significant part of the total power
losses. Nomograms for determining the reverse
power losses PR
and I
F(AV)
rating are available on request.
[3] Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated, mounting pad for cathode 1 cm2.
[4] Soldering point of cathode tab.
7. Characteristics
[1] Pulse test: tp
≤
300
μs; δ≤0.02.
Tamb
ambient temperature
?65 +150
°C
Tstg
storage temperature
?65 +150
°C
Table 6. Limiting values
…continued
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
Table 7. Thermal characteristics
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Rth(j-a)
thermal resistance from junction
to ambient
in free air
PMEG1020EH
[1][2]
- - 330 K/W
[2][3]
- - 150 K/W
PMEG1020EJ
[1][2]
- - 350 K/W
[2][3]
- - 150 K/W
Rth(j-sp)
thermal resistance from junction
to solder point
[4]
PMEG1020EH - - 60 K/W
PMEG1020EJ - - 55 K/W
Table 8. Characteristics
Tamb
= 25
°C unless otherwise specified.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VF
forward voltage IF
=0.01A
[1]
- 100 130 mV
IF
=0.1A
[1]
- 170 200 mV
IF
=1A
[1]
- 280 350 mV
IF
=2A
[1]
- 350 460 mV
IR
reverse current VR
=5V - 0.7 2 mA
VR
=8V - 1 2.5 mA
VR
=10V - 1.2 3 mA
Cd
diode capacitance VR
=5V; f=1MHz - 40 50 pF
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PDF描述
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参数描述
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